S. FORSTER, "Fiabilité des TRIACs - Rapport interne LMP", version du 11 septembre 2000.
Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Fiche : [DIV194]

Titre : S. FORSTER, Fiabilité des TRIACs - Rapport interne LMP, version du 11 septembre 2000.

Cité dans :[THESE086] A. FLORENCE, Etude et réalisation d'un banc de caractérisation des triacs. Etude comparative de la fiabilité de composant issues des technologies MESA-GLASS et TOP GLASS, projet de fin d'études DESS Electronique de Puissance, avril-septembre 2000, 43 pa
Cité dans :[THESE096] E. NICOLAY, Fiabilité des TRIACs dans le quadrant 3 par choc thermique par di/dt, mars-juin 2001.
Auteur : Stéphane FORSTER

Lien : private/FIAB2.doc - 164 Ko, 7 pages, version du 30 mars 2000.
Lien : private/FIAB3.doc - 196 Ko, 9 pages, version du 29 juin 2000.
Lien : private/FIAB4.doc - 210 Ko, 10 pages, version du 4 juillet 2000.
Lien : private/FIAB5.doc - 229 Ko, 13 pages, version du 28 août 2000.
Lien : private/FIAB6.doc - 256 Ko, 14 pages, version du 11 septembre 2000.

References : 21
[1] : I.L.Somos, D.E.Piccone, Power Semiconductors empirical diagrams expressing life as a function of temperature excursion, IEEE Trans on Magnetics, vol 29, no 1, 1993.
[2] : P.Aloïsi, La fatigue thermique, Electronique de puissance, no 24.
[3] : C.Basaran, Finite Element Simulation of the temperature cycling tests, IEEE Trans on components packaging and manufacturing technology, vol 20, no 4, 1997.
[4] : A.T. English, Reliability and failure mechanisms of electronic materials, Ann.Rev.Mater.Sci, p 459-95, 1978.
[5] : V.S.Candade, Sequence test method for reliability evaluation of semiconductor devices, Microelectronics and Reliability, vol 21, no 2, p 225-229, 1981.
[6] : I.L.Somos, Understanding di/dt ratings and life expectancy for thyristors, Power Conversion and intelligent motion, p 56-59, 1986.
[7] : I.L.Somos, D.E.Piccone, Power semiconductors, a new method for predicting the on state characteristic and temperature rise during multi-cycle fault currents, Industry Applications Society Annual Meeting, 1993.
[8] : R.G.Rodrigues, Operation of power semiconductors at their thermal limit, IEEE Industry applications society annual meeting, 1998.
[9] : V.Benda, Power semiconductor devices, Theory and applications, John Wiley & Sons, 1998.
[10] : S.Januszewski, Semiconductor device failures in power converter service conditions, EPE Journal, vol 7, no 3-4, 1998.
[11] : W.Kuo, W.K.Chien, T.Kim, Reliability, Yield and Stress burn-in, Kluwer Academic Publishers, 1998.
[12] : M.Ohring, Reliability and failure of electronic materials and devices, Academic Press, 1998.
[13] : J.C.Ligeron, La fiabilité en exploitation, organisation et traitement des données, Technique et Documentation (Lavoisier), 1984.
[14] : P.Ozil, Statistiques Appliquées.
[15] : A.H.Bowker, Méthodes statistiques de l’ingénieur, Ed. Dunod, Paris 1965.
[16] : P.A.Aloïsi, Failure diagnosis in medium power semiconductors, EPE Firenze, 1991.
[17] : V.Benda, Reliability of power semiconductor devices - problems and trends, PECM’96, p 30-35, vol-1, 1996.
[18] : T.I.Bajenescu, M.I.Bazu, Reliability of electronic components, A practical guide to electronic systems manufacturing, Springer, 1999.
[19] : S.Oussalah, Test paramétrique appliqué aux circuits intégrés de puissance ASDTM : fiabilité des diélectriques, mesure de la résistance de contact et mesure de la durée de vie, Thèse, Université de Tours, 1999.
[20] : S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices,Wiley-Interscience, 1981.
[21] : A.Harper, Electronic Packaging & Interconnection Handbook, 2nd Edition, New York, McGraw-Hill, Inc. 1991, p. 9.56- 9.59.

  [1] : [SHEET169] I.L. SOMOS, D.E. PICCONE, L.J. WILLINGER, W.H. TOBIN, Power semiconductors empirical diagrams expressing life as a function of temperature excursion, IEEE Transactions on Magnetics, jan. 1993, vol. 29, issue 1, part 2, pp. 517-522.
  [2] : [SHEET123] P. ALOISI, La fatigue thermique, Electronique de Puissance, no. 24, 1987, pp. 31-39.
  [3] : [SHEET144] C. BASARAN, R. CHANDAROY, Finite element simulation of the temperature cycling tests, 1997.
  [4] : [SHEET166] A.T. ENGLISH, C.M. MELLIAR-SMITH, Reliability and failure mechanisms of electronic materials,Annual review of materials science, vol.8, 1978, pp. 459-495.
  [5] : [SHEET165] V.S. CANDADE, Sequence test method for reliability evaluation of semiconductor devices, 1981.
  [6] : [SHEET204] I.L. SOMOS, L.O. ERIKSSON, W.H. TOBIN, Understanding di/dt ratings and life expectancy for thyristors, Power Conversion And Intelligent Motion, pp. 56-59, February 1986.
  [7] : [SHEET193] I.L. SOMOS, D.E. PICCONE, L.J. WILLINGER, W.H. TOBIN, Power Semiconductors-A New Method For Predicting The On-State Characteristic and Temperature Rise During Multi Cycle Fault Currents, conf.Rec.IEEE.IAS'93, vol. 2, pp.1242-1247.
  [8] : [SHEET196] R.G. RODRIGUES, D.E. PICCONE, W.H. TOBIN, L.W. WILLINGER, J.A. BARROW, T.A. HANSEN, J. ZHAO, L. CAO, Operation Of Power Semiconductors At Their Thermal Limit, 1998 IEEE IASociety Annual Meeting, October 12-15, 1998, 12 pages.
  [9] : [LIVRE108] V. BENDA, J. GOWAR, D.A. GRANT, Power Semiconductor Devices : theory and applications, John Wiley & Sons, november 1998, 419 pages.
 [10] : [SHEET155] S. JANUSZEWSKI, M. KOCISZEWSKA-SZCZERBIK, H. SWIATEK, G. SWIATEK, Semiconductor device failures in power converter service conditions, EPE Journal, Dec. 1998, vol. 7, no. 3-4, pp. 12-17.
 [11] : [LIVRE063] W. KUO, W.-T. K. CHIEN, T. KIM, Reliability, yield, and stress burn in: a unified approach for microelectronics systems manufacturing and software development, Kluwer Academic Publishers, january 1998.
 [12] : [LIVRE061] M. OHRING, Reliability and failure of Electronic Materials and Devices, Academic Press, may 1998.
 [13] : [LIVRE216] J.-C. LIGERON, A. DELAGE, M. NEFF La fiabilité en exploitation, organisation et traitement des données, Technique et Documentation, Lavoisier, 1984, 539 pages.
 [14] :  [DIV159]  O. GAUDOIN, P. OZIL, Statistiques appliquées, fascicules I, 1997, 64 pages.
 [15] : [LIVRE199] A.H. BOWKER, Méthodes statistiques de l'ingénieur, Ed. Dunod, Paris 1965.
 [16] : [SHEET168] P. ALOISI, Failure diagnosis in medium power semiconductor, EPE'91, Firenze, vol. 3, pp. 117-119.
 [17] : [SHEET156] V. BENDA, Reliability of power semiconductor devices - Problems and trends, PEMC'96, vol.1, pp. 30-35, 2-4 Sept. 1996.
 [18] : [LIVRE137] T.I. BAJENESCU, M.I. BAZU, Reliability of electronics components - A practical guide to electronic systems manufacturing, Springer, 1999, 509 pages.
 [19] : [THESE097] S. OUSSALAH, Test paramétrique appliqué aux circuits intégrés de puissance ASDTM : fiabilité des diélectriques, mesure de la résistance de contact et mesure de la durée de vie, Thèse, Université de Tours, le 11 janvier 1999.
 [20] : [LIVRE245] S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition, Willey-interscience, 1981.
 [21] : [LIVRE194] C.A. HARPER, Electronics Packaging and Interconnection Handbook, New York, McGraw-Hill, Inc. 1991, p.210.


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 51 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Copyright 2023 : TOP

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.