E. HERR, T. FREY, R. SCHLEGEL, A. STUCK, R. ZEHRINGER, "Substrate to base solder joint reliability in high-power IGBT modules", Microelectron. Reliab. Vol. 37, 1997, pp. 1719-1722.

E. HERR, T. FREY, R. SCHLEGEL, A. STUCK, R. ZEHRINGER, "Substrate to base solder joint reliability in high-power IGBT modules", Microelectron. Reliab. Vol. 37, 1997, pp. 1719-1722. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [ART223]

Titre : E. HERR, T. FREY, R. SCHLEGEL, A. STUCK, R. ZEHRINGER, Substrate to base solder joint reliability in high-power IGBT modules, Microelectron. Reliab. Vol. 37, 1997, pp. 1719-1722.

Cité dans :[REVUE199] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Vol. 37, Issues 10-11, Pages 1421-1798, 11 October 1997.
Cité dans : [DATA241] ESREF'97, Proceedings of the 8th European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Bordeaux, France, 7-10 octobre 1997.
Cité dans : [ART262]  E. HERR, T. FREY, R. SCHLEGEL, A. STUCK, R. ZEHRINGER, Substrate to base solder joint reliability in high-power IGBT modules, ESREF'97, 1997, pp. 1719-1722.
Cité dans : [DATA240] Recherche sur l'auteur E. HERR, mai 2002.
Cité dans :[SHEET119]
Cité dans :[ART186]
Cité dans :[ART185]
Cité dans :[ART227]
Cité dans :[ART228]
Cité dans :[PAP401]

Auteur : E. HERR (1)
Auteur : T. FREY (1)
Auteur : R. SCHLEGEL (1)
Auteur : A. STUCK (2)
Auteur : R. ZEHRINGER (2)

Adresse : (1) ABB Semiconductors AG, Fabrikstrasse 3, CH-S600 Lenzburg, Switzerland
Adresse : (2) ABB Corporate Research, Segelhof, CH-S40S Baden-D~ttwil, Switzerland

Vers : Bibliographie
Lien : SHEET119.HTM#Bibliographie - référence [11].
Lien : ART186.HTM#Bibliographie - référence [3].
Lien : ART185.HTM#Bibliographie - référence [8].
Lien : ART227.HTM#Bibliographie - référence [19].
Lien : ART228.HTM#Bibliographie - référence [3].

Lien : private/HERR1.pdf - 246 Ko, 4 pages.
Switches : IGBT modules
Source : Microelectron. Reliab.
Volume : 37
Date : 1997
Pages : 1719 - 1722

Abstract :
Acoustic microscope imaging proved to be an excellent tool to detect and quantify solder fatigue of the substrate to base interface of high power IGBT modules.
This technique was used to establish the dependence of the thermal cycling capability on the temperature swing of the module base for a AIN / Cu system.
Results from temperature cycling tests were combined with results from power cycling tests to predict the solder joint reliability over a wide range of temperature excursions.

Index_Terms : Semiconductor device structures; Bipolar transistors; Semiconductor device testing; Acoustic microscopes; Imaging techniques; Thermal cycling; Copper; Semiconducting aluminum compounds; Aluminum nitride; Solder joint reliability

Bibliographie

References : 2
[1] : T. Stockmeier, R. Bayerer, D. Sinerius, E. Herr, U. Thiemann, "Reliable 1200 A, 2500 V IGBT Modules For Traction Applications," IEE Colloquium on IGBT Propulsion Drives, London, 1995.
[2] : Y.-H. Pao, W. lung, R. Cooper, V A Sankaran, and X Xu, "Thermal Fatigue Modeling of Solder Interlayer in Power Electronics," ASME Advances in Electronic Packaging, EEP-Vol 10-2. pp 1059-1068, 1995

  [1] :  [ART226]  T. STOCKMEIER, R. BAYERER, D. SINERIUS, E. HERR, U. THIEMANN, Reliable 1200 A, 2500 V  IGBT Modules For Traction Applications, IEE Colloquium on IGBT Propulsion Drives, London, 1995.
  [2] : [SHEET336] Y.H. PAO, W. JUNG, R. COOPER, V.A. SANKARAN, X. XU, Thermal Fatigue Modeling of Solder Interlayer in Power Electronics, Advances in Electronic Packaging, 1995, vol. 10, pp. 1059-1068.

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