Fiche : [DATA241]

Titre : ESREF'97, Proceedings of the 8th European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Bordeaux, France, 7-10 octobre 1997.

Cité dans : [CONF016] ESREF, European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis et Microelectronics and Reliability, décembre 2005.
Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Cité dans :[REVUE199] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Vol. 37, Issues 10-11, Pages 1421-1798, 11 October 1997.

Congrés : 8th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
Lieu : Bordeaux,FRANCE.
Date : 7-10 octobre 1997
Info : Proceeding à la bibliothèque du LMP.

Liste des articles

  [1] : [SHEET356] A. HAMIDI, G. COQUERY, R. LALLEMAND, Effects of current density and chip temperature distribution on lifetime of high power IGBT modules in traction working conditions, European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis,
  [2] :  [ART262]  E. HERR, T. FREY, R. SCHLEGEL, A. STUCK, R. ZEHRINGER, Substrate to base solder joint reliability in high-power IGBT modules, ESREF'97, 1997, pp. 1719-1722.

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