T. LEQUEU, "Cours de Composants en Commutation - 2004/2005", IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, septembre 2004.

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Fiche : [DIV444]

Titre : T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2004/2005, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, septembre 2004.

Cité dans :[99DIV083] Liste des travaux écrits de Thierry LEQUEU, novembre 2019.
Cité dans : [DIV406]  T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2003/2004, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, septembre 2003.
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.
Cité dans : [DIV295]  Informations diverses sur les BOITIERS des COMPOSANTS en l'Electronique de Puissance, août 2016.

Auteur : Thierry LEQUEU

Info : Cours de Composants en Commutations, COM-COM, 2004/2005
Ecole : Institut Universitaire de Technologie, Génie Electrique et Informatique Industrielle
Cours : de 2ième année - option Electrotechnique et Electronique de Puissance
Date : septembre 2004
Pages : 1 -110

Vers : Chapitre 1 - Eléments sur les composants de puissance
Vers : Chapitre 2 - La diode en commutation
Vers : Chapitre 3 - Le thyristor et le triac
Vers : Chapitre 4 - Le transistor bipolaire de puissance
Vers : Chapitre 5 - Le transistor MOSFET
Vers : Chapitre 6 - Le transistor IGBT
Vers : Chapitre 7 - Limites et applications des transistors
Vers : Documentation de composants

Chapitre 1 - Eléments sur les composants de puissance

1.1 Organisation générale 5
1.1.1 Volume et horaire 2004/2005 5
1.1.2 Plan de l'étude 5
1.1.3 Quelques ouvrages de référence 5

  [1] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [2] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [3] : [LIVRE054] R. BESSON, Composants électroniques : technologie et utilisation, Dunod, 1998.
  [4] : [LIVRE144] P.-N. FAVENNEC, Technologies pour les composants à semiconducteurs, Masson, 1996.
  [5] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [6] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [7] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [8] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [9] : [LIVRE038] M. BEUGNIEZ, J.-L. WILLIOT, Manuel de Génie Electrique, édition Ellipses, 464 pages, août 1996.
 [10] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
 [11] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
 [12] : [LIVRE089] M. LAVABRE, Electronique de puissance : conversion de l'énergie - Cours et exercices résolus, collection A.CAPLIEZ, 357 pages, 1998.

1.2 Réalisation des puces silicium 6
1.2.1 Affinage du silicium 6
1.2.2 Tirage du lingot 6
1.2.3 Découpe 6
1.2.4 Polissage 6
1.2.5 Masquage 6
1.2.6 Dopage 6
1.2.7 Métallisation 6
1.2.8 Découpe et assemblage 6
1.2.9 Commercialisation 6
1.3 Caractéristiques externes des composants 7
1.3.1 Domaine de l'étude 7
1.3.2 Bipolaire - Effet de champ 7
1.3.3 Schémas équivalents 7
1.4 Rappel sur les circuits du premier ordre 8
1.4.1 Définition du problème 8
1.4.2 Solution de l'équation 8
1.4.3 Calcul du temps mis pour attendre une valeur donnée 8
1.5 Rappel sur le calcul des radiateurs 9
1.5.1 Loi d'ohm thermique 9
1.5.2 Résistances thermique 9
1.5.3 Caractéristiques thermiques 10
1.5.4 Démonstration du besoin d'un dissipateur 10
1.5.5 Exemple de calcul 11
1.6 La cellule de commutation 12
1.6.1 Exemple du hacheur série 12
1.6.2 Comportement des grandeurs électriques lors des commutations 13
1.6.3 Pertes statiques dans les semi-conducteurs 13
1.6.4 Pertes dynamiques dans les semi-conducteurs 14
1.6.5 Cas du redresseur 14
1.7 La commande des transistors 15
1.7.1 Position du problème 15
1.7.2 Les solutions de " driver " pour MOSFET et IGBT 16
1.8 Bibliographie 17

  [1] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [2] : [LIVRE038] M. BEUGNIEZ, J.-L. WILLIOT, Manuel de Génie Electrique, édition Ellipses, 464 pages, août 1996.
  [3] : [LIVRE089] M. LAVABRE, Electronique de puissance : conversion de l'énergie - Cours et exercices résolus, collection A.CAPLIEZ, 357 pages, 1998.
  [4] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
  [5] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [6] : [99DIV035] Catalogue SEEM, Thermique et puissance.

Lien : F_alim.htm

  [1] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [2] :  [ART443]  [D3233], Commande des convertisseurs - MOSFET et IGBT : circuits de commande, S. LEFEBVRE, B. MULTON, Techniques de l'Ingénieur, août 2003, 16 pages.
  [3] :  [DIV300]  Informations diverses sur les Circuits de commande et drivers pour l'Electronique de Puissance, janvier 2009.

Voir_aussi :

  [1] :  [DIV107]  T. LEQUEU, Liste de références pour le calcul des résistances thermiques, décembre 2009.
  [2] :  [DIV442]  Recherche sur les mots clés THERMAL RESISTANCE, juillet 2004.
  [3] : [LIVRE165] R. BESSON, Technologie des composants électroniques, Tome 2, 5e édition, SECF édition Radio, 1985.
  [4] : [LIVRE054] R. BESSON, Composants électroniques : technologie et utilisation, Dunod, 1998.
  [5] : [LIVRE144] P.-N. FAVENNEC, Technologies pour les composants à semiconducteurs, Masson, 1996.

Chapitre 2 - La diode en commutation

2.1 La fonction redresseur silicium 21
2.1.1 Constitution de la diode 21
2.1.2 Caractéristiques en conduction - Quadrant 1 21
2.1.3 Caractéristiques en mode bloquée - Quadrant 3 22
2.1.4 Schémas équivalent "petit signaux" 22
2.1.4.1 VD < VD0, la diode est bloqué (quadrant 3) 22
2.1.4.2 VD > VD0, la diode est passante (quadrant 1) 22
2.1.5 Mise en conduction - commutation "douce" 22
2.1.6 Exemple de la diode de signal 1N4148 23
2.2 Caractéristiques statiques de la diode P-i-N 24
2.2.1 Equivalence Français-Anglais 25
2.3 Cellules de commutation 26
2.3.1 Cas du hacheur 26
2.3.2 Cas du redresseur 26
2.4 Commutation rapide de la diode P-i-N 27
2.4.1 La diode dans la cellule de commutation 27
2.4.2 Mise en conduction rapide 27
2.4.3 Blocage de la diode 28
2.5 Ordres de grandeurs des diodes P-i-N rapides 30
2.5.1 Principales caractéristiques des diodes P-i-N rapides 31
2.6 Les diodes Schottky 31
2.6.1 Description 32
2.6.2 Compromis technologie/tension 32
2.7 Les diodes ZENERs et TRANSILTM 33
2.8 Bibliographie 33

  [1] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [2] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [3] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [4] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [5] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] : [99ART168] J.-M. Peter, Characteristics of power semiconductors, application note 512, mars 1994, 15 pages.
  [8] :  [PAP441]  Laboratoire LSI-EPFL, Junior Entreprise EPFL, Leçon IX : SEMICONDUCTEURS ET DIODES, EPFL, Version Web 1.4.2 / 29.11.99.

Lien : 1N4148.pdf - 7 pages, 66 Ko, 1996 Apr 15, 1N4148; 1N4446; 1N4448, High-speed diodes.
Lien : T213.pdf - 6 pages, 83 ko, BZW04-5V8/376 & BZW04-5V8B/376B TRANSIL(TM)
Lien : AN318.pdf - 2 pages, 31 Ko, AN318, mars 1989, "Transil or Varistor", by A. Bernabe.

Chapitre 3 - Le thyristor et le triac

3.1 Technologie - Structure - Symbole 37
3.1.1 Introduction 37
3.1.2 Technologie de réalisation 37
3.2 Caractéristiques statiques 37
3.2.1 Polarisation inverse 37
3.2.2 Polarisation directe - thyristor bloqué 38
3.3 Amorçage du thyristor 38
3.3.1 Analogie avec deux transistors bipolaires 38
3.3.2 Thyristor conducteur 38
3.4 Retour à l'état bloqué 39
3.5 Caractéristiques de gâchette 39
3.6 Commande par la gâchette des thyristors 40
3.6.1 Présentation 40
3.6.2 Exemple 41
3.6.3 Amélioration 41
3.7 Caractéristiques dynamiques 42
3.7.1 Commutation à la fermeture 42
3.7.2 Limitation de la vitesse de croissance du courant 42
3.7.3 Commutation à l'ouverture 43
3.7.4 Variation du tq en fonction du circuit 43
3.8 D'autres thyristors 44
3.8.1 Le thyristor GTO 44
3.8.2 Le thyristor MCT 44
3.9 Le TRIAC 45
3.9.1 Structure de principe - Symbole 45
3.9.2 Caractéristiques statiques 45
3.9.3 Quadrant d'amorçage 45
3.9.4 Spécification des boîtiers 45
3.9.5 Exemple d'utilisation - Le gradateur 46
3.10 Bibliographie 47

  [1] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [2] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [3] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [4] : [LIVRE102] GENERAL ELECTRICS, SCR manual including triacs and other thyristors, sixth edition, 1979.
  [5] :  [DIV065]  DATA BOOK, SCRs & TRIACS DATA BOOK and Triacs Application, 3rd edition, ST Microelectronics, june 1995.
  [6] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [7] : [REVUE085] Revue N° 068, Electronique Pratique, février 1984.
  [8] :  [DIV288]  W. PREVOST, Thyristors, triacs, opto-triacs et diacs, http://perso.wanadoo.fr/w.prevost/LEKTRONIK/C5.htm , 30 novembre 2001.

Lien : AN308.pdf - Control by a triac for an inductive load: how to select a suitable circuit, By X. DURBECQ.

Chapitre 4 - Le transistor bipolaire de puissance

4.1 Structure simplifiée et caractéristiques statiques 51
4.1.1 Historique 51
4.1.2 Structure 51
4.1.3 Caractéristiques statiques 51
4.1.4 Limites de fonctionnement statiques 52
4.1.5 Aires de sécurité du transistor bipolaire 52
4.2 Commutations du transistor bipolaire 53
4.2.1 Principe de la commutation 53
4.3 Commutation à la fermeture du transistor bipolaire 53
4.3.1 Montage hacheur 53
4.3.2 Courbe théorique 54
4.3.3 Principe simplifié de la saturation - Mise en conduction de la jonction BE 54
4.3.4 Principe simplifié de la saturation - Temps de monté du courant 54
4.3.5 Chronogramme réel à la fermeture 56
4.4 Commutation à l'ouverture du transistor bipolaire 57
4.4.1 Montage hacheur 57
4.4.2 Courbe théorique 57
4.4.3 Principe simplifié du blocage - Déstockage des charges 57
4.4.4 Principe simplifié du blocage - Annulation du courant iC(t) 58
4.4.5 Courbe pratique 58
4.5 Amélioration des commutations 59
4.5.1 A la saturation (fermeture) 59
4.5.2 Au blocage (ouverture) 59
4.5.3 Circuit complet de commande de base 60
4.6 Ordres de grandeurs à propos des transistors bipolaire 61
4.7 Bibliographie 61

  [1] : [LIVRE021] H. BUHLER, Volume XV : Electronique de Puissance, Presse Polytechniques et Universitaires Romandes, 1993.
  [2] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [3] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [4] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [5] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.

Chapitre 5 - Le transistor MOSFET

5.1 Historique 65
5.1.1 Le MOS, d'ou ça vient ? 65
5.1.2 Le MOS, qu'est-ce que c'est ? 66
5.1.2.1 Principaux sigles 66
5.1.2.2 Le transistor MOS dans son contexte 67
5.2 Principe - Structure - Symbole 68
5.2.1 Introduction 68
5.2.2 Principe 68
5.2.3 Structure et symbole 69
5.2.4 Caractéristiques statiques 69
5.2.5 Aire de sécurité du MOSFET 70
5.3 Composants parasites du MOSFET 70
5.3.1 Les capacités 70
5.3.2 Le transistor parasite 71
5.4 Commutation à la fermeture du MOSFET 72
5.4.0 Cellule de commutation 72
5.4.1 Phase 1, 0< t < t1 : 72
5.4.2 Phase 2, t1 < t < t2 : 73
5.4.3 Phase 3, t2 < t < t3 : 73
5.4.4 Phase 4, t > t3 : 73
5.5 Commutation à l'ouverture 74
5.5.1 Phase 1, 0< t < t1 : 74
5.5.2 Phase 2, t1 < t < t2 : 74
5.5.3 Phase 3, t2 < t < t3 : 75
5.5.4 Phase 4, t > t3 : 75
5.6 Driver pour MOSFET et IGBT 76
5.6.1 Position du problème 76
5.6.2 Les solutions 76
5.7 Quelques ordres de grandeurs 77
5.8 Bibliographie 77

  [1] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [2] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [3] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [4] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [5] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [6] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [7] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [8] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [9] :  [PAP162]  B. STAUFF, Le transistor MOSFET, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1998.

Lien : IRF840.pdf - 6 pages, 171 Ko, HEXFET Power MOSFET, 500V, 8A, RDSON = 0.85 ohms.

Chapitre 6 - Le transistor IGBT

6.1 Introduction - Caractéristiques 81
6.1.1 Genèse d'un nouveau composant 81
6.1.2 Structure de principe - Symbole 82
6.1.3 Symboles 83
6.1.4 Capacités parasites 84
6.1.5 Fonctionnement à la mise en conduction 85
6.1.6 Phénomène de LATCH-UP 85
6.1.7 Fonctionnement au blocage 86
6.1.8 Caractéristiques statiques 87
6.1.9 Aire de sécurité de l'IGBT 88
6.2 Fonctionnement en commutations de l'IGBT 89
6.2.1 Commutation à la fermeture 89
6.2.2 Commutation à l'ouverture 89
6.2.2.1 Première phase 90
6.2.2.2 Deuxième phase 91
6.2.3 Pertes de commutation 91
6.3 Structure PT et NPT 91
6.4 Quelques ordres de grandeurs à propos des IGBT 92
6.4.1 Les performances 92
6.4.2 Gamme de tension 93
6.4.3 En 1994 (FERRIEUX - FOREST) 94
6.4.4 En 1999 (EUPEC) 94
6.5 Bibliographie 94

  [1] : [SHEET408] L. HINOVEANU, Le point sur les IGBT, revue Technologie, N° 108, mai-juin 2000, pp. 65-66.
  [2] :  [DATA159] International Rectifier, IGBT Characteristics, AN-983 (v.Int), 16 pages.
  [3] :  [DATA166] CD-ROM, N-Series IGBT-Modules Application Manual, Reh-982, Fuji Electric.
  [4] : [REVUE035] REE N°04, Revue de l'Electricité et de l'Electronique, Avril 1997.
  [5] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
  [6] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [7] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [8] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [9] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
 [10] : [99DIV113] J.-P. FERRIEUX, Composants semi-conducteurs de puissance, Travaux Dirigés, IUT1 GEII Grenoble.
 [11] :  [DATA002] EUPEC, Eupec's Homepage & Editorials, octobre 2003.
 [12] :  [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.

Chapitre 7 - Limites et applications des transistors

7.1 Limites courant-tension et domaines d'applications 97
7.1.1 Limites tension-courant 97
7.1.2 Limites tension/courant/fréquence (1989) 98
7.1.3 Limites fréquence-puissance (1991-1995) 98
7.2 Circuit d'Aide à La Commutation - CALC 99
7.2.1 Objectif 99
7.2.2 Approche simplifiée à la fermeture 99
7.2.3 Approche simplifiée à l'ouverture 100
7.2.4 Influence du recouvrement de la diode 101
7.2.4.1 Cas ou l'inductance est très faible 101
7.2.4.2 Cas ou l'inductance est très grande 101
7.2.5 Influence de l'inductance de maille à l'ouverture 102
7.2.6 Principe des circuits d'aide à la fermeture 102
7.2.7 Circuit d'aide à l'ouverture 103
7.2.8 CALC complet 105
7.2.9 CALC non dissipatif 106
7.2.10 Circuits d'écrêtage 106
7.2.11 CALC complet pour un bras d'onduleur 108
7.3 Bibliographie 109
7.3.1 Références sur les limites et applications 109
7.3.2 Références sur les interrupteurs 109
7.3.3 Références sur les CALC 109

  [1] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
  [2] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
  [3] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [4] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [5] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] :  [DIV124]  B. MULTON, La conversion Statique de l'Energie Electrique, polycopié de cours, ENS de CACHAN, 70 pages.
  [8] :  [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.

Documentation de composants

  [1] :  [DIV126]  T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, octobre 2022.

Diodes de redressements standard

Lien : 1N400x.pdf - 2 pages, 43 Ko, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS, 50-1000 VOLTS, 1.0 AMPERE, 1N4001 thru 1N4007.
Lien : 1N5400.pdf - 2 pages, 45 Ko, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS, 50-1000 VOLTS, 3.0 AMPERE, 1N5401 thru 1N5407.

Diodes de signals rapides

Lien : 1N4148.pdf - 7 pages, 66 Ko, 1996 Apr 15, 1N4148; 1N4446; 1N4448, High-speed diodes.
Lien : BAT48.pdf - 4 pages, 95 Ko, BAT 47, BAT 48, SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE, 20 & 40 V, 350 mA.

Diodes PIN rapides

Lien : BYV95.pdf - 8 pages, 55 Ko, BYV95 series, Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers, 1.5A, 200V.
Lien : BYT13.pdf - 5 pages, 77 Ko, BYT 13-600 -> 1000, 3A FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
Lien : BYT08PI4.pdf - 7 pages, 102 Ko, BYT08P-400, BYT08PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES, 8A, 400V, 35 ns.
Lien : BYV79E.pdf - 6 pages, 45 Ko, Rectifier diodes BYV79E series, ultrafast, rugged, 14A, 200V.
Lien : BYT12PI.pdf - 5 pages, 87 Ko, BYT 12PI-1000, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
Lien : BYT30PI4.pdf - 5 pages, 96 Ko, BYT 30PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE.

Diodes SCHOTTKY

Lien : 11DQ06.pdf - 4 pages, 31 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER 1.1 Amp, 11DQ05, 11DQ06, 50/60V.
Lien : 18TQ.pdf - 4 pages, 45 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER, 18 Amp, 18TQ... SERIES, PD-2.178 rev. B 12/97.
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Diodes ZENER et TRANSIL

Lien : BZT03.pdf - 9 pages, 47 Ko, BZT03 series, Voltage regulator diodes.
Lien : T213.pdf - 6 pages, 83 Ko, TRANSIL série BZW04.

Thyristors

Lien : BT145.pdf - 6 pages, 35 Ko, BT145 series, Thyristors, October 1997.
Lien : SKKT20.pdf - 4 pages, 139 Ko, SEMIPACK Thyristor / Diode Modules, SKKT 19, SKKT 20, SHHT 20 B.
Lien : BTW69-8.pdf - 5 pages, 75 Ko, SCR 32A, 200-1200V.
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TRIACS

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Lien : BTA06bc.pdf - 5 pages, 64 Ko, STANDARD TRIACS ST, 6A, 400V, 600V, 700V, 800V.
Lien : BTA12xB.pdf - 5 pages, xx Ko, STANDARD TRIACS ST
Lien : BTA12xW.pdf - 5 pages, xx Ko, SNUBBERLESS TRIACS ST
Lien : BTA40ab.pdf - 5 pages, 63 Ko, STANDARD TRIACS ST, 40A, 400V, 600V, 700V, 800V.

Transistors BIPOLAIRE NPN de puissance

Lien : BUX48A.pdf - 7 pages, 90 Ko, BUX48/48A, BUV48A/V48AFI, HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS.
Lien : 2N2222A.pdf - 8 pages, 74 Ko, 2N2219, 2N2222, HIGH-SPEED SWITCHES.
Lien : BD135.pdf - 4 pages, 101 Ko, NPN, 1.5A, 10WATTS, BD135 45V, BD137 60V, BD139 80V.
Lien : TIP41X.pdf - 4 pages, 54 Ko, TIP41A/41B/41C, TIP42A/42C, COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, 6A, 40V-60V-
Lien : 2N3055.pdf - 4 pages, 40 Ko, 2N3055, SILICON NPN TRANSISTOR, TO3, 100V, 15A.

Transistors BIPOLAIRE PNP de puissance

Lien : 2N2907A.pdf - 7 pages, 82 Ko, 2N2905A, 2N2907A, GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES.
Lien : BD136.pdf - 4 pages, 105 Ko, PNP, 1.5A, 10WATTS, BD136 45V, BD138 60V, BD140 80V.
Lien : TIP41X.pdf - 4 pages, 54 Ko, TIP41A/41B/41C, TIP42A/42C, COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, 6A, 40V-60V-
Lien : 2N3055M.pdf - 4 pages, 40 Ko, NPN 2N3055, PNP MJ2955, Complementary Silicon Power Transistors, TO3, 100V, 15A.

Transistors MOSFET canal N de puissance

Lien : IRF830.pdf - 7 pages, 69 Ko, IRF830, IRF831, IRF832, IRF833, 4.0A and 4.5A, 450V and 500V, 1.5 and 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs, July 1998.
Lien : IRF510H.pdf - 7 pages, 48 Ko, IRF510, 5.6A, 100V, 0.54 Ohm, N-Channel Power MOSFET, January 1998.
Lien : IRF510.pdf - 7 pages, 57 Ko, IRF510, 5.6A, 100V, 0.54 Ohm, N-Channel Power MOSFET, June 1999.
Lien : IRF840.pdf - 6 pages, 171 Ko, HEXFET Power MOSFET, 500V, 8A, RDSON = 0.85 ohms.
Lien : IRF520N.pdf - 8 pages, 117 Ko, HEXFET Power MOSFET, 100V, 9.7A, RDSON = 0.20 ohms.
Lien : IRF530.pdf - 7 pages, 76 Ko, IRF530, RF1S530SM, 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs, November 1999.
Lien : IRF530N.pdf - 9 pages, 142 Ko, IRF530N, HEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, RDSON = 0.11 Ohms.
Lien : STP50N06.pdf - 10 pages, 202 Ko, STP50N06, N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, 60V, 50A, < 0,028 ohms.

Transistors MOSFET canal P de puissance

Lien : IRF9530.pdf - 4 pages, 238 Ko, IRF9530, P-Channel Enhancement Mode Transistors, -100V, -12A, 0.30 Ohms.

Transistors IGBT de puissance

Lien : IRG4PH30.pdf - 10 pages, 179 Ko, IRG4PH30KD UltraFast IGBT, 1200V, 10A.
Lien : IRG4PC30.pdf - 10 pages, 179 Ko, IRG4PC30KD UltraFast IGBT, 600V, 16A.
Lien : HGTG20N6.pdf - 6 pages, 136 Ko, HGTG20N60B3D, 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, January 2000.
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Lien : GA200SAx.pdf - 8 pages, 198 Ko, GA200SA60U, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Ultra-Fast TM Speed IGBT, 600V, 100A.
Lien : 200gb123.pdf - 6 pages, 1668 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 200 GB 123 D, 1200 V, 400 A.

Lien : HGTG20N6.pdf - 6 pages, 136 Ko, HGTG20N60B3D, 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, January 2000.
Lien : IRGPC40F.pdf - 7 pages, 108 Ko, Fast speed IGBT, 600V, 27A.
Lien : IRGPF10F.pdf - 6 pages, 109 Ko, Fast speed IGBT, 900V, 17A.
Lien : 95591.pdf - 2 pages, 55 Ko, IGBT, IXGA/IXGP12N100 1000 V 24 A 3.5 V, IXGA/IXGP12N100A 1000 V 24 A 4.0 V
Lien : 98564.pdf - 2 pages, 234 Ko, HiPerFAST TM IGBT, Lightspeed TM Series, IXGA 7N60C, IXGP 7N60C
Lien : 50GB123.pdf - 6 pages, 2291 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 50 GB 123 D, SKM 50 GAL 123 D, 1200 V, 50 / 40 A.
Lien : GA200TDX.pdf - 10 pages, 276 Ko, GA200TD120U, "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK, Ultra-Fast TM Speed IGBT, 1200V, 200A.

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 51 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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