Laboratoire LSI-EPFL, Junior Entreprise EPFL, "Leçon IX : SEMICONDUCTEURS ET DIODES", EPFL, Version Web 1.4.2 / 29.11.99.
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Fiche : [PAP441]
Titre : Laboratoire LSI-EPFL, Junior Entreprise EPFL, Leçon IX : SEMICONDUCTEURS ET DIODES, EPFL, Version Web 1.4.2 / 29.11.99.
Cité dans : [DIV062] Presses Polytechniques et Universitaires Romandes, TRAITÉ D'ÉLECTRICITÉ, EPFL : Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne.
Cité dans : [DIV238] T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2001/2002, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, juin 2001.
Auteur : Laboratoire LSI-EPFL, http://www.epfl.ch , Ecole polytechnique fédérale de Lausanne
Auteur : Junior Entreprise EPFL, http://dewww.epfl.ch/je
Site : http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/lecon09/lec9.html
Lien : DIODES.pdf - 29 pages, 330 Ko, impression du site web Version 1.4.2 / 29.11.99.
Vers : Objectif
Vers : PLAN DE LA LEÇON IX
Vers : Bibliographie
Le but de cette leçon est d'introduire la notion de semiconducteur, de se familiariser avec la caractéristique exponentielle de la jonction PN qui est au fondement du fonctionnement de la diode standart.
Dans cette partie, on présente sans l'approfondir une introduction aux semiconducteurs et à la jonction PN. La physique des semiconducteurs, tant dans sa dimension appliquée que dans sa dimension recherche technologique est bien représentée à l'École polytechnique de Lausanne. Pour les étudiants physiciens, il y a le cours de matériaux de troisième année ainsi que celui de semiconducteurs de quatrième année.
Ce qui importe ici est de se familiariser avec le modèle exponentiel de la diode et ses diverses simplifications dans des montages très classiques. Les exercices et le premier travail pratique du semestre y sont consacrés.
1. Semiconducteurs
1.1. Introduction
1.2. Description: semiconducteur intrinsèque
1.3. Description: semiconducteur extrinsèque de type n
1.4. Description: semiconducteur extrinsèque de type p
1.5. Commentaires 2. Jonction PN
2.1. Introduction
2.2. Description
2.3. Définition
2.4. Assertion
2.5. Propriété
2.6. Exemple
2.7. Commentaire
3. Caractéristique électrique de la jonction PN
3.1. Description
3.2. Définition
3.3. Propriétés
3.4. Définitions
3.5. Commentaires 4. Capacité de transition
4.1. Introduction
4.2. Assertion
4.3. Définition
4.4. Description
4.5. Remarque
5. Exercices / 6. Corrigés
5.1. Exercice 5.1.
5.2. Exercice 5,2.
5.3. Exercice 5,3.
5.4. Exercice 5.4.
5.5. Exercice 5.5.
5.6. Exercice 5.6.
5.7. Exercice 5.7.
5.8. Exercice 5.8.
5.9. Exercice 5.9.
Références : 8
Ouvrages généraux utiles pour cet enseignement
[1] : Jean Auvray "Circuits et composants électroniques", Herman, Paris, Collection Méthode
[2] : Richard C. Dorf "The electrical handbook", CRC PRESS
[3] : Albert Paul Malvino " Principes d'électronique", Mc Graw-Hill
[4] : P. Horowitz and W. Hill "The art of electronics", Cambridge University Press, 1994.
[5] : JD. Chatelain, R. Dessoulavy "Electronique", Vol 8, Traité d'électricité, Lausanne: Presses polytechniques romandes, 1985.
[6] : P. Horowitz and W. Hill "The art of electronics",Cambridge University Press, 1994. (Approche très complémentaire à cette brochure, surtout concernant les transistors, au chapitre 2 et 3)
[7] : JD. Chatelain, R. Dessoulavy "Electronique", Vol 8, Traité d'électricité, Lausanne: Presses polytechniques romandes, 1985. (Le premier chapitre est consacré aux diodes et transistors)
[8] : Cours de physique génerale de deuxième année (introduction aux semiconducteurs).
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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