Article : [PAP162]
Titre : B. STAUFF, Le transistor MOSFET, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1998.
Cité dans :[99DIV094] CD ROM, Mémoire d'avenir, Mémoire 1996 à 1999 de physique appliqué. Cité dans : [DIV166] Recherche sur les CALC - Circuits d'Aide à La Commutation. Cité dans : [DATA208] T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2000/2001, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, janvier 2001.
Auteur : Benoit STAUFF - PHYSIQUE APPLIQUEE 1997/1998
Info : suivi par M.BATAILLE
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/STAUFF.pdf - 1140 Ko, 40 pages
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Sujet : LE TRANSISTOR MOS
Le transistor MOS est un des composants de l'électronique de puissance les plus utilisés. Depuis les années soixante,
date de sa sortie en série, il s'est imposé en concurrent direct du classique transistor bipolaire. On se propose, dans les
pages qui suivent, de présenter ce composant, son histoire, son fonctionnement, ses caractéristiques. On étudie, ensuite,
expérimentalement, son comportement en commutation. Cette étude est délibérément allégée en équations, le but recherché
étant d'expliquer plus physiquement que mathémathiquement les phénomènes observés.
Mots_clés : Lilienfeld, effet de champ, Planar, puissance, effet Miller
TABLE DES MATIERES |
Bibliogaphie |
[1] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès. [2] : [LIVRE073] J.-D. CHATELAIN, Volume VII : Dispositifs à semiconducteur, 1986. [3] : [LIVRE210] M. GIRARD, Exercices corrigés 2. Fonctions à éléments actifs discret, Ediscience International. [4] : [PAP158] ------- [5] : [PAP158] ------- [6] : [PAP158] ------- [7] : [PAP158] ------- [8] : [PAP158] ------- [9] : [PAP158] ------- [10] : [PAP158] ------- [11] : [PAP158] ------- [12] : [PAP158] ------- [13] : [PAP158] ------- [14] : [PAP158] ------- [15] : [DIV126] T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, octobre 2022.
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