J.-P. CHANTE, "Etude de la commutation des triacs : applications à la connaissance du comportement de la charge stockée", Thèse de doctorat d'état, 1981.
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Thèse : [THESE035]

Titre : J.-P. CHANTE, Etude de la commutation des triacs : applications à la connaissance du comportement de la charge stockée, Thèse de doctorat d'état, 1981.

Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*
Auteur : Jean-Pierre CHANTE

Title : "Study of triac switching : applications for knowledge of the behaviour of the load stored"
Discipline : Sciences et Techniques : Electrotechnique. Electroenergetique
Spécialité : Génie Electrique
Date : 8 juillet 1981 , Université Lyon 1
Nature : doctorat d'état
Stockage : Thierry LEQUEU
Pages : 217 pages
Info : N° d'ordre 81-38, T50/210/1981/137 bis
Vers : BIBLIOGRAPHIE 209

Président :
Jury : M. le Professeur ASCH
Jury : M. le Professeur J.L. AUCOUTURIER
Jury : Mme F. BERZ, ingénieur conseil au laboratoire Phillips à Redhill
Jury : M. le Professeur P. LETURCQ, rapporteur ?
Jury : M. MERCIER, directeur technique à la société Thomson-CSF (SILEC, Villejuif)
Jury : M. le Professeur M. SAVELLI, rapporteur
Jury : M. le Professeur J.J. URGELL

Résumé :
Rappel des caracteristiques des diodes commandees du type thyristor.
Etude du transfert lateral de charges au voisinage d'une jonction.
Cas du fort niveau d'injection.
influence des parametres physico-geometriques.
etude d'un redresseur p-i-n en recouvrement

Mots_clefs : composant, thyristor, triac, analyse fonctionnement, commutation

Abstract :
reminber of the characteristics of controlled diodes of the thyristor type.
study of lateral transfer of loads in the vicinity of a junction.
case of a high level of injection.
influence of physico-geometric parameters.
study of a p-i-n rectifier in overlap


INTRODUCTION 3

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CHAPITRE I : PRESENTATION DES STRUCTURES THYRISTOR ET TRIAC - RAPPELS SUR LES PROCEDES DE DECLENCHEMENT 9

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I.1. LE THYRISTOR 9
I.1.1. Déclenchement par courant de gâchette 15
I.1.2. Déclenchement par excitation lumineuse 17
I.1.3. Déclenchement par excitation thermique 18
I.1.4. Déclenchement par une tension supérieure à la tension de claquage 18
I.1.5. Déclenchement par application d'un gradient de tension entre anode et cathode 19
I.1.5.1. dv/dt statique 19
I.1.5.2. dv/dt de commutation 22
I.1.5.3. Modélisation approchée d'une structure soumise à un gradient de tension 23
I. 2. STRUCTURES DERIVEES DU THYRISTOR 27
I. 3. LE TRIAC 30
I. 4. CONCLUSIONS 36


CHAPITRE II : TRANSFERT LATERAL.DE CHARGES AU VOISINAGE D'UNE JONCTION 41

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II.1. INTRODUCTION 41
II.2. CHOIX DES STRUCTURES D'ETUDE 44
II.3. MISE EN EQUATIONS DU TRANSFERT LATERAL DES CHARGES 46
II.3.1. Analyse du phénomène 46
II.3.2. Etude statique 47
II.3.3. Etude dynamique 51
II.4. RESULTATS EXPERIMENTAUX 58
II.4.1. Principe et méthode de mesure 58
II.4.2. Résultats de l'état stationnaire 60
II.4.3. Résultats en régime dynamique 62


CHAPITRE III : TRANSFERT LATERAL DE CHARGES A FORT NIVEAU D'INJECTION 71

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III.1. INTRODUCTION 71
III.2. ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE 71
III.2.1. Le dv/dt de commutation 72
III.2.2. Etalement du plasma 73
III.2.3 Etudes sur le comportement des charges dans une structure de puissance à l'ouverture 75
III.2.4. Conclusions 78
III.3. DEFINITION ET REALISATION D'UNE EXPERIMENTATION DE TEST 78
III.4. LOCALISATION DE LA CHARGE PENDANT LA CONDUCTION DIRECTE 87
III.5. ANALYSE DES CONDITIONS DE RECOUREMENT 88
III.6. INTERPRETATION DES VARIATIONS DE LA CHARGE RECOUVREE CRITIQUE 92
III.7. CONCLUSIONS 97


CHAPITRE IV : IMPACT DES PARAMETRES PHYSIQUES ET GEOMETRIQUES DE LA STRUCTURE SUR LE TRANSFERT LATERAL 101

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IV.1. COMPOSANTS SPECIAUX 101
IV.2. RESULTATS 104
IV.2.1. Mesure de la charge recouvrée critique 104
IV.2.2. Interprétation 113
IV.2.3. Détermination de la vitesse de transfert 114
IV.3. MESURE DES PARAMETRES INFLUANT SUR LA VALEUR DE tdc 119
IV.3.1. Durée de vie 121
IV.3.2. Résistance de court-circuit 124
IV.3.3. Récapitulatif 126
IV.3.4. Correction de la valeur de la vitesse 128
IV.3.5. Etude de la vitesse en fonction de la température 136
IV.3.6. Variation de la vitesse avec le dopage de la base centrale 139
IV. 4. CONCLUSION 140


CHAPITRE V : ETUDE D'UN REDRESSEUR PIN EN RECOWREMENT 143

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V.1. INTRODUCTION 143
V.2. MODELISATION 144
V.2.1. Rappels bibliographiques 144
V.2.2. Mise en équation du problème 145
V.2.2.1. Etude en régime stationnaire 146
V.2.2.2. Régime transitoire. Gradient de courant 148
V.2.2.3. Régime transitoire à l'ouverture 150
V.3. RESULTATS DE SIMULATION 157
V.3.1. Incidence de Wmu 160
V.3.2. Incidence de la durée de vie tho 161
V.3.3. Incidence du dopage ND de la base centrale 163
V.3.4. Incidence de la tension inverse 165
V. 4. CONCLUSION 166


CONCLUSIONS 169

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ANNEXES 175

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ANNEXE A : 177
ANNEXE B : COMPLEMENTS A L'ETUDE DYNAMIQUE 179
ANNEXE C : DISPOSITIF EXPERIMENTAL 191
ANNEXE D : SCHEMAS DU GENERATEUR DE TEST 195
ANNEXE E : REALISATION D'UNE SAISIE DE DONNEES RAPIDE 199


BIBLIOGRAPHIE 209

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Références : 71
  [1] : [99ART175] J.L. MOLL, M. TANENBAUM, J.M. GOLDEY, N. HOLONYAK, P-N-P-N Transistor switches, 1956, Proc. of IRE, vol. 44, pp. 1174-1182.
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 [38] :  [PAP158]  -------
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 [40] :  [PAP158]  -------
 [41] :  [PAP158]  -------
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 [59] :  [PAP158]  -------
 [60] :  [PAP158]  -------
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 [70] :  [PAP158]  -------
 [71] :  [PAP158]  -------


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 19 h 01 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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