J.P. NOGUIER, J. ARNOULD, "Analyse et optimisation technologique des paramêtres de structure conditionnant la progressivité du recouvrement des diodes P+NN+ - Application à la réalisation industrielle de diodes rapides à faible vitesse d'extinction du cou

J.P. NOGUIER, J. ARNOULD, "Analyse et optimisation technologique des paramêtres de structure conditionnant la progressivité du recouvrement des diodes P+NN+ - Application à la réalisation industrielle de diodes rapides à faible vitesse d'extinction du cou Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Titre : J.P. NOGUIER, J. ARNOULD, Analyse et optimisation technologique des paramêtres de structure conditionnant la progressivité du recouvrement des diodes P+NN+ - Application à la réalisation industrielle de diodes rapides à faible vitesse d'extinction du courant de recouvrement, 1979 - Rapport de fin de contrat - marché DGRST N° 77.7.1012., 139 pages.

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Cité dans :[99DIV110] Recherche sur l'auteur Philippe LETURCQ
Cité dans :[THESE035]

Auteur : J.P. NOGUIER
Auteur : J. ARNOULD - Laboratoire de Tours, 6 rue Marie et Pierre Curie, 37100 Tours.

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : THESE035.HTM - référence [57]
Date : 1979
Source : Rapport de fin de contrat - marché DGRST N° 77.7.1012.
Pages : 1 - 139

Références : 19

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