B. MERCIER, R. PEZZANI, "Analyse des limites de performances des thyristors bidirectionnels. Application à la réalisation de triacs kilovoltaïques", 1972, Rapport final d'un marché DGRST.

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Article : [99ART164]

Titre : B. MERCIER, R. PEZZANI, Analyse des limites de performances des thyristors bidirectionnels. Application à la réalisation de triacs kilovoltaïques, 1972, Rapport final d'un marché DGRST.

Cité dans :[THESE035] J.-P. CHANTE, Etude de la commutation des triacs : applications à la connaissance du comportement de la charge stockée, Thèse de doctorat d'état, 1981.
Cité dans :[99DIV109] Recherche sur l'auteur Robert PEZZANI, octobre 2000.
Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*

Auteur : B. MERCIER
Auteur : Robert PEZZANI

Date : août 1972
Pages : 0 76
Stockage : Thierry LEQUEU

Sommaire :
I. - But du marché 2
II. - Introduction 3
III. - Le TRIAC 6
IV. - Tenue en tension (première analyse) 19
V. - Analyse des autres caractéristiques 34
VI. - Tenue au gradient de tension dv/dt 59
VII. - Résumé et conclusions générales 67
VIII. - Conclusions finales et perspectives 72

Bibliographie 73

Références : 8
[1] : "Etude sur thyristor à commande intégrée de prises de contact sans point chaud : généralisation à des dispositifs à forte densité d'énergie", MERCIER - PEZZANI (SSC) contrat DGRST n° 70 7 2351.
[2] : "Diffused jonction depletion layer calculation", WARNIER - LAWRENCE - Bell System Technic Journal - Mars 1960.
[3] : "Tenue en tension des thyratrons", J. ARNOULD - Note interne SILEC-SEMI-CONDUCTEURS, août 1967.
[4] : "Influence des profils de concentration en impureté après diffusion sur le phénomène de perçage dans l'avalanche et sur le temps de recouvrement des structures P (pi) N et P (nu) N", J. ARNOULD, B. MERCIER (SSC) Contrat DGRST n° 68 01 369.
[5] : "Control of Electric Field at the surface of PN jonction", DAVIES, GENTRY, IEEE trans. ED 11, n° 7, July 1964.
[6] : "The potential and carrier distribution of a PNPN device in the on state", R.A. KOKOSA, Proceeding of the IEEE August 1967.
[7] : "Volt-Ampere caracteristics of PNPN type semiconductor Devices in the on conduction", V.A. KUZ'MIN, Radio Eng. and Electronic Physics, 1963.
[8] : "The forward characteristics of thyristors", M. OTSUKA, Proceeding of the IEEE, August 1967.
[9] : "Mécanisme de commutation dans les thyristors solides au silicium", J. ARNOULD, note SILEC, octobre 1969.

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