Article : [SHEET229]
Info : INSPEC Answer Number 17, le 16/03/2000.
Titre : D.E. PICCONE, I.S. SOMOS, Are you confused by high di/dt SCR ratings?, Electronic Engineer, Jan. 1969, vol. 28, no. 1, pp. 89-92.
Cité dans : [DATA042] Recherche sur l'auteur Istvan SOMOS, mars 2000. Cité dans : [DATA049] Recherche sur l'auteur Dante E. PICCONE, mars 2000. Cité dans :[SHEET204] Cité dans :[SHEET237]Auteur : Piccone, D.E.
Lien : SHEET204.HTM - référence [2]
Lien : SHEET237.HTM - référence [8]
Source : Electronic Engineer
Date : Jan. 1969
Volume : vol.28, no.1
Pages : 89 - 92
CODEN : EEEEA4
ISSN : 0013-4899
Document_Type : Journal
Info : Country of Publication : United States
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU (15 mai 2000).
Abstract :
High di/dt devices are regarded as a solution to s.c.r. failures.
Failures caused by other mechanisms are sometimes thought to be di/dt
failures. The d/dt ratings for thyristors which are not based on a common
and sound principle lead to confusion. This article discusses problems
associated with high di/dt gate structures which are common in many
versions. The high di/dt gate structure using the field initiated
principle shows increasing reliability in equipment.
Accession_Number : 1969:65687
Références : 9
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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