Article : [SHEET228]

Info : INSPEC Answer Number 15, le 16/03/2000.

Titre : D.E. PICCONE, I. SOMOS, Double-triggering semiconductor controlled rectifier, Patent Information USA 3440501 22 April 1969.

Cité dans : [DATA042] Recherche sur l'auteur Istvan SOMOS, mars 2000.
Cité dans : [DATA049] Recherche sur l'auteur Dante E. PICCONE, mars 2000.

Info : organization : General Electric Co
Info : Patent Information USA 3440501 22 April 1969
Date : 2 Feb. 1967
Info : Priority Application Information : USA 613612
Document : Patent, United States
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU, le 24/10/2000.
Demande : INIST du 5 juillet 2000.

Abstract :
This is an improved form of the unique high-power multilayer
semiconductor controlled rectifier (Patent No. 3408-545). It further
increases the turn-on di/dt capability of such a device by providing a
second auxiliary region in one of its end layers at a location remote from
the original auxiliary region (both auxiliary regions being free of the
main electrode connected to the adjacent main electrode connected to the
adjacent main region of that end layer), and by
conductivity-interconnecting these regions so that the second step of the
turn-on process takes place in the vicinity of the additional auxiliary
region which is relatively far removed from the initial pinpoint area of
conduction.

Accession_Number : 1970:108901

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