Article : [SHEET237]
Info : COMPENDEX Answer Number 13, le 16/03/2000.
Titre : I. SOMOS, D.E. PICCONE, Plasma spread in high-power thyristors under dynamic and static conditions, IEEE Trans Electron Devices, vol. ED-17, no. 9, Sept. 1970, pp. 680-687.
Cité dans : [DATA042] Recherche sur l'auteur Istvan SOMOS, mars 2000. Cité dans : [DATA049] Recherche sur l'auteur Dante E. PICCONE, mars 2000.Auteur : Istvan SOMOS (General Electric Co, Collingdale, Pa)
Source : IEEE Trans Electron Devices v ED-17 n 9
Date : Sept 1970
Pages : 680 - 687
CODEN : IETDA
Année : 1970
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU
Abstract :
The plasma spread properties of various thyristors were studied
utilizing an infrared viewing technique. The plasma velocity occurring
prior to equilibrium, and plasma spread conditions at equilibrium were
determined. Velocity current density diagrams were generated for low-
frequency, high- voltage and high- frequency, low voltage devices. Effect
of the initial turned- on line on plasma spreading is discussed. 15213
Accession_Number : 1971(3):3115
References : 8
[1] : [PAP158] ------- [2] : [PAP158] ------- [3] : [PAP158] ------- [4] : [PAP158] ------- [5] : [PAP158] ------- [6] : [PAP158] ------- [7] : [PAP158] ------- [8] : [SHEET229] D.E. PICCONE, I.S. SOMOS, Are you confused by high di/dt SCR ratings?, Electronic Engineer, Jan. 1969, vol. 28, no. 1, pp. 89-92.
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