T. LEQUEU, "Cours de Composants en Commutation - 2001/2002", IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, juin 2001.

T. LEQUEU, "Cours de Composants en Commutation - 2001/2002", IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, juin 2001. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Fiche : [DIV238]

Titre : T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2001/2002, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, juin 2001.

Cité dans :[99DIV083] Liste des travaux écrits de Thierry LEQUEU, novembre 2019.
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.
Cité dans : [DATA208] T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2000/2001, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, janvier 2001.

Auteur : Thierry LEQUEU

Info : Cours de Physique des Composants, COM-COM, 2001/2002
Ecole : Institut Universitaire de Technologie, Génie Electrique et Informatique Industrielle
Cours : de 2ième année - option Electrotechnique et Electronique de Puissance
Date : juin 2001

Vers : Chapitre 0 - Eléments sur les composants de puissance
Vers : Chapitre 1 - La diode en commutation
Vers : Chapitre 2 - Le thyristor et le triac
Vers : Chapitre 3 - Le transistor bipolaire de puissance
Vers : Chapitre 4 - Le transistor MOSFET
Vers : Chapitre 5 - Le transistor IGBT
Vers : Chapitre 6 - Limites et applications des transistors
Vers : Documentation de composants

Chapitre 0 - Eléments sur les composants de puissance

0.1 Volume et horaire 5
0.2 Plan de l'étude 5
0.3 Quelques ouvrages de référence 5

  [1] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [2] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [3] : [LIVRE054] R. BESSON, Composants électroniques : technologie et utilisation, Dunod, 1998.
  [4] : [LIVRE144] P.-N. FAVENNEC, Technologies pour les composants à semiconducteurs, Masson, 1996.
  [5] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [6] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [7] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [8] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [9] : [LIVRE038] M. BEUGNIEZ, J.-L. WILLIOT, Manuel de Génie Electrique, édition Ellipses, 464 pages, août 1996.
 [10] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
 [11] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
 [12] : [LIVRE089] M. LAVABRE, Electronique de puissance : conversion de l'énergie - Cours et exercices résolus, collection A.CAPLIEZ, 357 pages, 1998.

0.4 Généralités sur les jonctions 6
0.4.1 Structure de la matière 6
0.4.2 Conduction 7
0.4.3 Semi-conducteur 8
0.5 Réalisation des puces silicium 9
0.5.1 Affinage du silicium 9
0.5.2 Tirage du lingot 9
0.5.3 Découpe 9
0.5.4 Polissage 9
0.5.5 Masquage 9
0.5.6 Dopage 10
0.5.7 Métallisation 10
0.5.8 Découpe et assemblage 10
0.5.9 Commercialisation 10
0.6 Caractéristiques externes des composants. 10
0.6.1 Domaine de l'étude 11
0.6.2 Bipolaire - Effet de champ 11
0.6.3 Schémas équivalents 11
0.7 Rappel sur les circuits du premier ordre 12
0.7.1 Définition du problème 12
0.7.2 Solution de l'équation 12
0.7.3 Calcul du temps mis pour attendre une valeur donnée 12
0.8 Rappel sur le calcul des radiateurs 13
0.8.1 Loi d'ohm thermique 13
0.8.2 Résistances thermique 13
0.8.3 Caractéristiques thermiques 14
0.8.4 Démonstration du besoin d'un dissipateur 14
0.8.5 Exemple de calcul 14
0.9 Bibliographie 15

  [1] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [2] : [LIVRE038] M. BEUGNIEZ, J.-L. WILLIOT, Manuel de Génie Electrique, édition Ellipses, 464 pages, août 1996.
  [3] : [LIVRE089] M. LAVABRE, Electronique de puissance : conversion de l'énergie - Cours et exercices résolus, collection A.CAPLIEZ, 357 pages, 1998.
  [4] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
  [5] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [6] : [99DIV035] Catalogue SEEM, Thermique et puissance.

Lien : F_alim.htm

Voir_aussi :

  [1] :  [DIV107]  T. LEQUEU, Liste de références pour le calcul des résistances thermiques, décembre 2009.
  [2] : [LIVRE165] R. BESSON, Technologie des composants électroniques, Tome 2, 5e édition, SECF édition Radio, 1985.
  [3] : [LIVRE054] R. BESSON, Composants électroniques : technologie et utilisation, Dunod, 1998.
  [4] : [LIVRE144] P.-N. FAVENNEC, Technologies pour les composants à semiconducteurs, Masson, 1996.

Chapitre 1 - La diode en commutation

1.1 Caractéristiques statiques de la diode P-i-N 19
1.1.1 Caractéristiques en conduction - Quadrant 1 19
1.1.2 Caractéristiques en mode bloquée - Quadrant 3 20
1.1.3 Schémas équivalent "petit signaux" 20
1.1.3.1 VD < VD0, la diode est bloqué (quadrant 3) 20
1.1.3.2 VD > VD0, la diode est passante (quadrant 1) 20
1.2 Cellule de commutation 21
1.2.1 Cas du hacheur 21
1.2.2 Cas du redresseur 21
1.3 Commutation rapide de la diode P-i-N 22
1.3.1 La diode dans la cellule de commutation 22
1.3.2 Mise en conduction rapide 22
1.3.3 Blocage de la diode 23
1.4 Ordres de grandeurs des diodes P-i-N rapides 25
1.4.1 Principales caractéristiques des diodes P-i-N rapides 26
1.4.2 Exemple de la diode de signal 1N4148 26
1.5 Les diodes Schottky 27
1.5.1 Description 27
1.5.2 Mise en conduction - commutation "douce" 27
1.5.3 Compromis technologie/tension 28
1.6 Les diodes ZENERs et TRANSIL(tm) 29
1.7 Bibliographie 29

  [1] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [2] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [3] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [4] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [5] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] : [99ART168] J.-M. Peter, Characteristics of power semiconductors, application note 512, mars 1994, 15 pages.
  [8] :  [PAP441]  Laboratoire LSI-EPFL, Junior Entreprise EPFL, Leçon IX : SEMICONDUCTEURS ET DIODES, EPFL, Version Web 1.4.2 / 29.11.99.

Lien : 1N4148.pdf - 7 pages, 66 Ko, 1996 Apr 15, 1N4148; 1N4446; 1N4448, High-speed diodes.
Lien : T213.pdf - 6 pages, 83 ko, BZW04-5V8/376 & BZW04-5V8B/376B TRANSIL(TM)
Lien : AN318.pdf - 2 pages, 31 Ko, AN318, mars 1989, "Transil or Varistor", by A. Bernabe.

Chapitre 2 - Le thyristor et le triac

  [1] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [2] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [3] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [4] : [LIVRE102] GENERAL ELECTRICS, SCR manual including triacs and other thyristors, sixth edition, 1979.
  [5] :  [DIV065]  DATA BOOK, SCRs & TRIACS DATA BOOK and Triacs Application, 3rd edition, ST Microelectronics, june 1995.
  [6] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [7] : [REVUE085] Revue N° 068, Electronique Pratique, février 1984.
  [8] :  [DIV288]  W. PREVOST, Thyristors, triacs, opto-triacs et diacs, http://perso.wanadoo.fr/w.prevost/LEKTRONIK/C5.htm , 30 novembre 2001.

Lien : AN308.pdf - Control by a triac for an inductive load: how to select a suitable circuit, By X. DURBECQ.

Chapitre 3 - Le transistor bipolaire de puissance

3.1 Structure simplifiée et caractéristiques statiques 3
3.1.1 Historique 3
3.1.2 Structure 3
3.1.3 Caractéristiques statiques 3
3.1.4 Limites de fonctionnement statiques 44
3.1.5 Aires de sécurité du transistor bipolaire 44
3.2 Commutations du transistor bipolaire 45
3.2.1 Principe de la commutation 45
3.3 Commutation à la fermeture du transistor bipolaire 45
3.3.1 Montage hacheur 45
3.3.2 Courbe théorique 46
3.3.3 Principe simplifié de la saturation - Mise en conduction de la jonction BE 46
3.3.4 Principe simplifié de la saturation - Temps de monté du courant 46
3.3.5 Chronogramme réel à la fermeture 48
3.4 Commutation à l'ouverture du transistor bipolaire 49
3.4.1 Montage hacheur 49
3.4.2 Courbe théorique 49
3.4.3 Principe simplifié du blocage - Déstockage des charges 49
3.4.4 Principe simplifié du blocage - Annulation du courant iC(t) 50
3.4.5 Courbe pratique 50
3.5 Amélioration des commutations 51
3.5.1 A la saturation (fermeture) 51
3.5.2 Au blocage (ouverture) 51
3.6 Ordres de grandeurs à propos des transistors bipolaire 52
3.7 Bibliographie 52

  [1] : [LIVRE021] H. BUHLER, Volume XV : Electronique de Puissance, Presse Polytechniques et Universitaires Romandes, 1993.
  [2] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [3] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [4] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [5] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.

Chapitre 4 - Le transistor MOSFET

4.1 Historique 55
4.1.1 Le MOS, d'ou ça vient ? 55
4.1.2 Le MOS, qu'est-ce que c'est ? 56
4.1.2.1 Principaux sigles 56
4.1.2.2 Le transistor MOS dans son contexte 56
4.2 Principe - Structure - Symbole 57
4.2.1 Introduction 57
4.2.2 Principe 57
4.2.3 Structure et symbole 58
4.2.4 Caractéristiques statiques 58
4.2.5 Aire de sécurité du MOSFET 59
4.3 Composants parasites du MOSFET 59
4.3.1 Les capacités 59
4.3.2 Le transistor parasite 60
4.4 Commutation à la fermeture du MOSFET 61
4.4.0 Cellule de commutation 61
4.4.1 Phase 1, 0< t < t1 : 61
4.4.2 Phase 2, t1 < t < t2 : 61
4.4.3 Phase 3, t2 < t < t3 : 62
4.4.4 Phase 4, t > t3 : 62
4.5 Commutation à l'ouverture 62
4.6 Quelques ordres de grandeurs 63
4.7 Bibliographie 63

  [1] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [2] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [3] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [4] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [5] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [6] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [7] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [8] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [9] :  [PAP162]  B. STAUFF, Le transistor MOSFET, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1998.

Lien : irf840.pdf - 6 pages, 171 Ko, HEXFET Power MOSFET, 500V, 8A, RDSON = 0.85 ohms.

Chapitre 5 - Le transistor IGBT

5.1 Introduction - Caractéristiques 67
5.1.1 Genèse d'un nouveau composant 67
5.1.2 Structure de principe - Symbole 68
5.1.3 Symboles 69
5.1.4 Capacités parasites 70
5.1.5 Fonctionnement à la mise en conduction 71
5.1.6 Phénomène de LATCH-UP 71
5.1.7 Fonctionnement au blocage 72
5.1.8 Caractéristiques statiques 73
5.1.9 Aire de sécurité de l'IGBT 74
5.2 Fonctionnement en commutations de l'IGBT 75
5.2.1 Commutation à la fermeture 75
5.2.2 Commutation à l'ouverture 75
5.2.2.1 Première phase 76
5.2.2.2 Deuxième phase 77
5.2.3 Pertes de commutation 77
5.3 Structure PT et NPT 77
5.4 Quelques ordres de grandeurs à propos des IGBT 78
5.4.1 Les performances 78
5.4.2 Gamme de tension 79
5.4.3 En 1994 (FERRIEUX - FOREST) 80
5.4.4 En 1999 (EUPEC) 80
5.5 Bibliographie 80

  [1] : [SHEET408] L. HINOVEANU, Le point sur les IGBT, revue Technologie, N° 108, mai-juin 2000, pp. 65-66.
  [2] :  [DATA159] International Rectifier, IGBT Characteristics, AN-983 (v.Int), 16 pages.
  [3] :  [DATA166] CD-ROM, N-Series IGBT-Modules Application Manual, Reh-982, Fuji Electric.
  [4] : [REVUE035] REE N°04, Revue de l'Electricité et de l'Electronique, Avril 1997.
  [5] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
  [6] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [7] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [8] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [9] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
 [10] : [99DIV113] J.-P. FERRIEUX, Composants semi-conducteurs de puissance, Travaux Dirigés, IUT1 GEII Grenoble.
 [11] :  [DATA002] EUPEC, Eupec's Homepage & Editorials, octobre 2003.
 [12] :  [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.

Chapitre 6 - Limites et applications des transistors

6.1 Limites courant - tension et domaines d'applications 83
6.2 Limites tension/courant/fréquence (1989) 84
6.3 Limites fréquence - puissance (1991-1995) 84
6.4 Bibliographie 85

  [1] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
  [2] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
  [3] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [4] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [5] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] :  [DIV124]  B. MULTON, La conversion Statique de l'Energie Electrique, polycopié de cours, ENS de CACHAN, 70 pages.
  [8] :  [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.

Documentation de composants

  [1] :  [DIV126]  T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, octobre 2022.

Diodes de redressements standard

Lien : 1N400x.pdf - 2 pages, 43 Ko, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS, 50-1000 VOLTS, 1.0 AMPERE, 1N4001 thru 1N4007.
Lien : 1N5400.pdf - 2 pages, 45 Ko, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS, 50-1000 VOLTS, 3.0 AMPERE, 1N5401 thru 1N5407.

Diodes de signals rapides

Lien : 1N4148.pdf - 7 pages, 66 Ko, 1996 Apr 15, 1N4148; 1N4446; 1N4448, High-speed diodes.
Lien : BAT48.pdf - 4 pages, 95 Ko, BAT 47, BAT 48, SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE, 20 & 40 V, 350 mA.

Diodes PIN rapides

Lien : BYV95.pdf - 8 pages, 55 Ko, BYV95 series, Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers, 1.5A, 200V.
Lien : BYT13.pdf - 5 pages, 77 Ko, BYT 13-600 -> 1000, 3A FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
Lien : BYT08PI4.pdf - 7 pages, 102 Ko, BYT08P-400, BYT08PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES, 8A, 400V, 35 ns.
Lien : BYV79E.pdf - 6 pages, 45 Ko, Rectifier diodes BYV79E series, ultrafast, rugged, 14A, 200V.
Lien : BYT12PI.pdf - 5 pages, 87 Ko, BYT 12PI-1000, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
Lien : BYT30PI4.pdf - 5 pages, 96 Ko, BYT 30PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE.

Diodes SCHOTTKY

Lien : 11DQ06.pdf - 4 pages, 31 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER 1.1 Amp, 11DQ05, 11DQ06, 50/60V.
Lien : 18TQ.pdf - 4 pages, 45 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER, 18 Amp, 18TQ... SERIES, PD-2.178 rev. B 12/97.
Lien : 19TQ015.pdf - 6 pages, 173 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER, 19 Amp, 15V, PD-20266, rev. B 02/01.

Diodes ZENER et TRANSIL

Lien : BZT03.pdf - 9 pages, 47 Ko, BZT03 series, Voltage regulator diodes.
Lien : T213.pdf - 6 pages, 83 Ko, TRANSIL série BZW04.

Thyristors

Lien : BT145.pdf - 6 pages, 35 Ko, BT145 series, Thyristors, October 1997.
Lien : SKKT20.pdf - 4 pages, 139 Ko, SEMIPACK Thyristor / Diode Modules, SKKT 19, SKKT 20, SHHT 20 B.
Lien : BTW69-8.pdf - 5 pages, 75 Ko, SCR 32A, 200-1200V.
Lien : 2N6507.pdf - 6 pages, 76 Ko, Thyristors, SCRs, 25 A rms, 50 thru 800 V.
Lien : IRKH250X.pdf - 13 pages, 345 Ko, SCR / SCR and SCR / DIODE, IRK. SERIES, 170A, 230A, 250A, MAGN-A-pak, Power Modules, 3000 V RMS isolating voltage.

TRIACS

Lien : Z01XXXA.pdf - 5 pages, 61 Ko, SENSITIVE GATE TRIACS, TO92, January 1995.
Lien : BTA06bc.pdf - 5 pages, 64 Ko, STANDARD TRIACS ST, 6A, 400V, 600V, 700V, 800V.
Lien : BTA12xB.pdf - 5 pages, xx Ko, STANDARD TRIACS ST
Lien : BTA12xW.pdf - 5 pages, xx Ko, SNUBBERLESS TRIACS ST
Lien : BTA40ab.pdf - 5 pages, 63 Ko, STANDARD TRIACS ST, 40A, 400V, 600V, 700V, 800V.

Transistors BIPOLAIRE NPN de puissance

Lien : BUX48A.pdf - 7 pages, 90 Ko, BUX48/48A, BUV48A/V48AFI, HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS.
Lien : 2N2222A.pdf - 8 pages, 74 Ko, 2N2219, 2N2222, HIGH-SPEED SWITCHES.
Lien : BD135.pdf - 4 pages, 101 Ko, NPN, 1.5A, 10WATTS, BD135 45V, BD137 60V, BD139 80V.
Lien : TIP41X.pdf - 4 pages, 54 Ko, TIP41A/41B/41C, TIP42A/42C, COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, 6A, 40V-60V-
Lien : 2N3055.pdf - 4 pages, 40 Ko, 2N3055, SILICON NPN TRANSISTOR, TO3, 100V, 15A.

Transistors BIPOLAIRE PNP de puissance

Lien : 2N2907A.pdf - 7 pages, 82 Ko, 2N2905A, 2N2907A, GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES.
Lien : BD136.pdf - 4 pages, 105 Ko, PNP, 1.5A, 10WATTS, BD136 45V, BD138 60V, BD140 80V.
Lien : TIP41X.pdf - 4 pages, 54 Ko, TIP41A/41B/41C, TIP42A/42C, COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, 6A, 40V-60V-
Lien : 2N3055M.pdf - 4 pages, 40 Ko, NPN 2N3055, PNP MJ2955, Complementary Silicon Power Transistors, TO3, 100V, 15A.

Transistors MOSFET canal N de puissance

Lien : IRF830.pdf - 7 pages, 69 Ko, IRF830, IRF831, IRF832, IRF833, 4.0A and 4.5A, 450V and 500V, 1.5 and 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs, July 1998.
Lien : IRF510H.pdf - 7 pages, 48 Ko, IRF510, 5.6A, 100V, 0.54 Ohm, N-Channel Power MOSFET, January 1998.
Lien : IRF510.pdf - 7 pages, 57 Ko, IRF510, 5.6A, 100V, 0.54 Ohm, N-Channel Power MOSFET, June 1999.
Lien : IRF840.pdf - 6 pages, 171 Ko, HEXFET Power MOSFET, 500V, 8A, RDSON = 0.85 ohms.
Lien : IRF520N.pdf - 8 pages, 117 Ko, HEXFET Power MOSFET, 100V, 9.7A, RDSON = 0.20 ohms.
Lien : IRF530.pdf - 7 pages, 76 Ko, IRF530, RF1S530SM, 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs, November 1999.
Lien : IRF530N.pdf - 9 pages, 142 Ko, IRF530N, HEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, RDSON = 0.11 Ohms.
Lien : STP50N06.pdf - 10 pages, 202 Ko, STP50N06, N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, 60V, 50A, < 0,028 ohms.

Transistors MOSFET canal P de puissance

Lien : IRF9530.pdf - 4 pages, 238 Ko, IRF9530, P-Channel Enhancement Mode Transistors, -100V, -12A, 0.30 Ohms.

Transistors IGBT de puissance

Lien : IRG4PH30.pdf - 10 pages, 179 Ko, IRG4PH30KD UltraFast IGBT, 1200V, 10A.
Lien : IRG4PC30.pdf - 10 pages, 179 Ko, IRG4PC30KD UltraFast IGBT, 600V, 16A.
Lien : HGTG20N6.pdf - 6 pages, 136 Ko, HGTG20N60B3D, 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, January 2000.
Lien : XSH40N60.pdf - 6 pages, 92 Ko, IGBT IXSH/IXSM 40 N60 (600V-75A-2.5V), High Speed IGBT IXSH/IXSM 40 N60A (600V-75A-3.0V).
Lien : 75gb123.pdf - 6 pages, 1549 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 75 GB 123 D, 1200 V, 75 A.
Lien : GA200SAx.pdf - 8 pages, 198 Ko, GA200SA60U, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Ultra-Fast TM Speed IGBT, 600V, 100A.
Lien : 200gb123.pdf - 6 pages, 1668 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 200 GB 123 D, 1200 V, 400 A.

Lien : HGTG20N6.pdf - 6 pages, 136 Ko, HGTG20N60B3D, 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, January 2000.
Lien : IRGPC40F.pdf - 7 pages, 108 Ko, Fast speed IGBT, 600V, 27A.
Lien : IRGPF10F.pdf - 6 pages, 109 Ko, Fast speed IGBT, 900V, 17A.
Lien : 95591.pdf - 2 pages, 55 Ko, IGBT, IXGA/IXGP12N100 1000 V 24 A 3.5 V, IXGA/IXGP12N100A 1000 V 24 A 4.0 V
Lien : 98564.pdf - 2 pages, 234 Ko, HiPerFAST TM IGBT, Lightspeed TM Series, IXGA 7N60C, IXGP 7N60C
Lien : 50GB123.pdf - 6 pages, 2291 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 50 GB 123 D, SKM 50 GAL 123 D, 1200 V, 50 / 40 A.
Lien : GA200TDX.pdf - 10 pages, 276 Ko, GA200TD120U, "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK, Ultra-Fast TM Speed IGBT, 1200V, 200A.

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