T. LEQUEU, "Cours de Composants en Commutation - 2003/2004", IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, septembre 2003.
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Fiche : [DIV406]

Titre : T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2003/2004, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, septembre 2003.

Cité dans :[99DIV083] Liste des travaux écrits de Thierry LEQUEU, février 2018.
Cité dans : [DIV391]  T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2002/2003, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, janvier 2003.
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.
Cité dans : [DIV295]  Informations diverses sur les BOITIERS des COMPOSANTS en l'Electronique de Puissance, août 2016.
Auteur : Thierry LEQUEU

Info : Cours de Composants en Commutations, COM-COM, 2003/2004
Ecole : Institut Universitaire de Technologie, Génie Electrique et Informatique Industrielle
Cours : de 2ième année - option Electrotechnique et Electronique de Puissance
Date : septembre 2003

Vers : Chapitre 0 - Eléments sur les composants de puissance
Vers : Chapitre 1 - La diode en commutation
Vers : Chapitre 2 - Le thyristor et le triac
Vers : Chapitre 3 - Le transistor bipolaire de puissance
Vers : Chapitre 4 - Le transistor MOSFET
Vers : Chapitre 5 - Le transistor IGBT
Vers : Chapitre 6 - Limites et applications des transistors
Vers : Documentation de composants


Chapitre 0 - Eléments sur les composants de puissance

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Chapitre 0 - Eléments sur les composants de puissance 5
0.1 Volume et horaire 2002/2003 5
0.2 Plan de l'étude 5
0.3 Quelques ouvrages de référence 5

  [1] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [2] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [3] : [LIVRE054] R. BESSON, Composants électroniques : technologie et utilisation, Dunod, 1998.
  [4] : [LIVRE144] P.-N. FAVENNEC, Technologies pour les composants à semiconducteurs, Masson, 1996.
  [5] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [6] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [7] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [8] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [9] : [LIVRE038] M. BEUGNIEZ, J.-L. WILLIOT, Manuel de Génie Electrique, édition Ellipses, 464 pages, août 1996.
 [10] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
 [11] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
 [12] : [LIVRE089] M. LAVABRE, Electronique de puissance : conversion de l'énergie - Cours et exercices résolus, collection A.CAPLIEZ, 357 pages, 1998.
0.4 Réalisation des puces silicium 6
0.4.1 Affinage du silicium 6
0.4.2 Tirage du lingot 6
0.4.3 Découpe 6
0.4.4 Polissage 6
0.4.5 Masquage 6
0.4.6 Dopage 6
0.4.7 Métallisation 6
0.4.8 Découpe et assemblage 6
0.4.9 Commercialisation 6
0.5 Caractéristiques externes des composants 7
0.5.1 Domaine de l'étude 7
0.5.2 Bipolaire - Effet de champ 7
0.5.3 Schémas équivalents 7
0.6 Rappel sur les circuits du premier ordre 8
0.6.1 Définition du problème 8
0.6.2 Solution de l'équation 8
0.6.3 Calcul du temps mis pour attendre une valeur donnée 8
0.7 Rappel sur le calcul des radiateurs 9
0.7.1 Loi d'ohm thermique 9
0.7.2 Résistances thermique 9
0.7.3 Caractéristiques thermiques 10
0.7.4 Démonstration du besoin d'un dissipateur 10
0.7.5 Exemple de calcul 10
0.8 Bibliographie 11

  [1] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [2] : [LIVRE038] M. BEUGNIEZ, J.-L. WILLIOT, Manuel de Génie Electrique, édition Ellipses, 464 pages, août 1996.
  [3] : [LIVRE089] M. LAVABRE, Electronique de puissance : conversion de l'énergie - Cours et exercices résolus, collection A.CAPLIEZ, 357 pages, 1998.
  [4] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
  [5] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [6] : [99DIV035] Catalogue SEEM, Thermique et puissance.

Lien : F_alim.htm

Voir_aussi :

  [1] :  [DIV107]  T. LEQUEU, Liste de références pour le calcul des résistances thermiques, décembre 2009.
  [2] : [LIVRE165] R. BESSON, Technologie des composants électroniques, Tome 2, 5e édition, SECF édition Radio, 1985.
  [3] : [LIVRE054] R. BESSON, Composants électroniques : technologie et utilisation, Dunod, 1998.
  [4] : [LIVRE144] P.-N. FAVENNEC, Technologies pour les composants à semiconducteurs, Masson, 1996.


Chapitre 1 - La diode en commutation

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1.1 La fonction redresseur silicium 15
1.1.1 Constitution de la diode 15
1.1.2 Caractéristiques en conduction - Quadrant 1 15
1.1.3 Caractéristiques en mode bloquée - Quadrant 3 16
1.1.4 Schémas équivalent "petit signaux" 16
1.1.4.1 VD < VD0, la diode est bloqué (quadrant 3) 16
1.1.4.2 VD > VD0, la diode est passante (quadrant 1) 16
1.1.5 Mise en conduction - commutation "douce" 16
1.1.6 Exemple de la diode de signal 1N4148 17
1.2 Caractéristiques statiques de la diode P-i-N 18
1.2.1 Equivalence Français-Anglais 19
1.3 Cellules de commutation 20
1.3.1 Cas du hacheur 20
1.3.2 Cas du redresseur 20
1.4 Commutation rapide de la diode P-i-N 21
1.4.1 La diode dans la cellule de commutation 21
1.4.2 Mise en conduction rapide 21
1.4.3 Blocage de la diode 22
1.5 Ordres de grandeurs des diodes P-i-N rapides 24
1.5.1 Principales caractéristiques des diodes P-i-N rapides 25
1.6 Les diodes Schottky 25
1.6.1 Description 26
1.6.2 Compromis technologie/tension 26
1.7 Les diodes ZENERs et TRANSILTM 27
1.8 Bibliographie 27

  [1] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [2] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [3] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [4] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [5] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] : [99ART168] J.-M. Peter, Characteristics of power semiconductors, application note 512, mars 1994, 15 pages.
  [8] :  [PAP441]  Laboratoire LSI-EPFL, Junior Entreprise EPFL, Leçon IX : SEMICONDUCTEURS ET DIODES, EPFL, Version Web 1.4.2 / 29.11.99.
Lien : 1N4148.pdf - 7 pages, 66 Ko, 1996 Apr 15, 1N4148; 1N4446; 1N4448, High-speed diodes.
Lien : T213.pdf - 6 pages, 83 ko, BZW04-5V8/376 & BZW04-5V8B/376B TRANSIL(TM)
Lien : AN318.pdf - 2 pages, 31 Ko, AN318, mars 1989, "Transil or Varistor", by A. Bernabe.


Chapitre 2 - Le thyristor et le triac

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2.1 Technologie - Structure - Symbole 31
2.1.1 Introduction 31
2.1.2 Technologie de réalisation 31
2.2 Caractéristiques statiques 31
2.2.1 Polarisation inverse 31
2.2.2 Polarisation directe - thyristor bloqué 32
2.3 Amorçage du thyristor 32
2.3.1 Analogie avec deux transistors bipolaires 32
2.3.2 Thyristor conducteur 32
2.4 Retour à l'état bloqué 33
2.5 Caractéristiques de gâchette 33
2.6 Commande par la gâchette des thyristors 34
2.6.1 Présentation 34
2.6.2 Exemple 35
2.6.3 Amélioration 35
2.7 Caractéristiques dynamiques 36
2.7.1 Commutation à la fermeture 36
2.7.2 Limitation de la vitesse de croissance du courant 36
2.7.3 Commutation à l'ouverture 37
2.8 D'autres thyristors 38
2.8.1 Le thyristor GTO 38
2.8.2 Le thyristor MCT 38
2.9 Le TRIAC 39
2.9.1 Structure de principe - Symbole 39
2.9.2 Caractéristiques statiques 39
2.9.3 Quadrant d'amorçage 39
2.9.4 Spécification des boîtiers 39
2.9.5 Exemple d'utilisation - Le gradateur 40
2.10 Bibliographie 41

  [1] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [2] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [3] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [4] : [LIVRE102] GENERAL ELECTRICS, SCR manual including triacs and other thyristors, sixth edition, 1979.
  [5] :  [DIV065]  DATA BOOK, SCRs & TRIACS DATA BOOK and Triacs Application, 3rd edition, ST Microelectronics, june 1995.
  [6] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [7] : [REVUE085] Revue N° 068, Electronique Pratique, février 1984.
  [8] :  [DIV288]  W. PREVOST, Thyristors, triacs, opto-triacs et diacs, http://perso.wanadoo.fr/w.prevost/LEKTRONIK/C5.htm , 30 novembre 2001.
Lien : AN308.pdf - Control by a triac for an inductive load: how to select a suitable circuit, By X. DURBECQ.


Chapitre 3 - Le transistor bipolaire de puissance

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3.1 Structure simplifiée et caractéristiques statiques 45
3.1.1 Historique 45
3.1.2 Structure 45
3.1.3 Caractéristiques statiques 45
3.1.4 Limites de fonctionnement statiques 46
3.1.5 Aires de sécurité du transistor bipolaire 46
3.2 Commutations du transistor bipolaire 47
3.2.1 Principe de la commutation 47
3.3 Commutation à la fermeture du transistor bipolaire 47
3.3.1 Montage hacheur 47
3.3.2 Courbe théorique 48
3.3.3 Principe simplifié de la saturation - Mise en conduction de la jonction BE 48
3.3.4 Principe simplifié de la saturation - Temps de monté du courant 48
3.3.5 Chronogramme réel à la fermeture 50
3.4 Commutation à l'ouverture du transistor bipolaire 51
3.4.1 Montage hacheur 51
3.4.2 Courbe théorique 51
3.4.3 Principe simplifié du blocage - Déstockage des charges 51
3.4.4 Principe simplifié du blocage - Annulation du courant iC(t) 52
3.4.5 Courbe pratique 52
3.5 Amélioration des commutations 53
3.5.1 A la saturation (fermeture) 53
3.5.2 Au blocage (ouverture) 53
3.6 Ordres de grandeurs à propos des transistors bipolaire 54
3.7 Bibliographie 54
  [1] : [LIVRE021] H. BUHLER, Volume XV : Electronique de Puissance, Presse Polytechniques et Universitaires Romandes, 1993.
  [2] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [3] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [4] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [5] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.


Chapitre 4 - Le transistor MOSFET

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4.1 Historique 57
4.1.1 Le MOS, d'ou ça vient ? 57
4.1.2 Le MOS, qu'est-ce que c'est ? 58
4.1.2.1 Principaux sigles 58
4.1.2.2 Le transistor MOS dans son contexte 59
4.2 Principe - Structure - Symbole 60
4.2.1 Introduction 60
4.2.2 Principe 60
4.2.3 Structure et symbole 61
4.2.4 Caractéristiques statiques 61
4.2.5 Aire de sécurité du MOSFET 62
4.3 Composants parasites du MOSFET 62
4.3.1 Les capacités 62
4.3.2 Le transistor parasite 63
4.4 Commutation à la fermeture du MOSFET 64
4.4.0 Cellule de commutation 64
4.4.1 Phase 1, 0< t < t1 : 64
4.4.2 Phase 2, t1 < t < t2 : 64
4.4.3 Phase 3, t2 < t < t3 : 65
4.4.4 Phase 4, t > t3 : 65
4.5 Commutation à l'ouverture 65
4.6 Quelques ordres de grandeurs 66
4.7 Bibliographie 66
  [1] : [LIVRE019] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, 2e édition revue et augmentée, 1994.
  [2] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [3] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [4] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [5] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [6] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [7] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [8] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [9] :  [PAP162]  B. STAUFF, Le transistor MOSFET, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1998.
Lien : IRF840.pdf - 6 pages, 171 Ko, HEXFET Power MOSFET, 500V, 8A, RDSON = 0.85 ohms.


Chapitre 5 - Le transistor IGBT

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5.1 Introduction - Caractéristiques 69
5.1.1 Genèse d'un nouveau composant 69
5.1.2 Structure de principe - Symbole 70
5.1.3 Symboles 71
5.1.4 Capacités parasites 72
5.1.5 Fonctionnement à la mise en conduction 73
5.1.6 Phénomène de LATCH-UP 73
5.1.7 Fonctionnement au blocage 74
5.1.8 Caractéristiques statiques 75
5.1.9 Aire de sécurité de l'IGBT 76
5.2 Fonctionnement en commutations de l'IGBT 77
5.2.1 Commutation à la fermeture 77
5.2.2 Commutation à l'ouverture 77
5.2.2.1 Première phase 78
5.2.2.2 Deuxième phase 79
5.2.3 Pertes de commutation 79
5.3 Structure PT et NPT 79
5.4 Quelques ordres de grandeurs à propos des IGBT 80
5.4.1 Les performances 80
5.4.2 Gamme de tension 81
5.4.3 En 1994 (FERRIEUX - FOREST) 82
5.4.4 En 1999 (EUPEC) 82
5.5 Bibliographie 82
  [1] : [SHEET408] L. HINOVEANU, Le point sur les IGBT, revue Technologie, N° 108, mai-juin 2000, pp. 65-66.
  [2] :  [DATA159] International Rectifier, IGBT Characteristics, AN-983 (v.Int), 16 pages.
  [3] :  [DATA166] CD-ROM, N-Series IGBT-Modules Application Manual, Reh-982, Fuji Electric.
  [4] : [REVUE035] REE N°04, Revue de l'Electricité et de l'Electronique, Avril 1997.
  [5] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
  [6] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [7] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [8] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [9] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
 [10] : [99DIV113] J.-P. FERRIEUX, Composants semi-conducteurs de puissance, Travaux Dirigés, IUT1 GEII Grenoble.
 [11] :  [DATA002] EUPEC, Eupec's Homepage & Editorials, octobre 2003.
 [12] :  [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.


Chapitre 6 - Limites et applications des transistors

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6.1 Limites courant - tension et domaines d'applications 85
6.2 Limites tension/courant/fréquence (1989) 86
6.3 Limites fréquence - puissance (1991-1995) 86
6.4 Bibliographie 87
  [1] : [LIVRE122] J.-P. FERRIEUX, F. FOREST, Alimentations à découpage - Convertisseurs à résonance, DUNOD, 3e édition revue et augmentée, 1999.
  [2] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
  [3] : [LIVRE032] P.-T. KREIN, Element of power electronics, Oxford University Press, 1997.
  [4] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
  [5] : [LIVRE037] J.-L. DALMASSO, L'électronique de puissance - commutation, édition DIA Technique Supérieur, 1987.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] :  [DIV124]  B. MULTON, La conversion Statique de l'Energie Electrique, polycopié de cours, ENS de CACHAN, 70 pages.
  [8] :  [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.


Documentation de composants

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  [1] :  [DIV126]  T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, janvier 2018.


Diodes de redressements standard

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Lien : 1N400x.pdf - 2 pages, 43 Ko, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS, 50-1000 VOLTS, 1.0 AMPERE, 1N4001 thru 1N4007.
Lien : 1N5400.pdf - 2 pages, 45 Ko, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS, 50-1000 VOLTS, 3.0 AMPERE, 1N5401 thru 1N5407.


Diodes de signals rapides

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Lien : 1N4148.pdf - 7 pages, 66 Ko, 1996 Apr 15, 1N4148; 1N4446; 1N4448, High-speed diodes.
Lien : BAT48.pdf - 4 pages, 95 Ko, BAT 47, BAT 48, SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE, 20 & 40 V, 350 mA.


Diodes PIN rapides

TOP

Lien : BYV95.pdf - 8 pages, 55 Ko, BYV95 series, Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers, 1.5A, 200V.
Lien : BYT13.pdf - 5 pages, 77 Ko, BYT 13-600 -> 1000, 3A FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
Lien : BYT08PI4.pdf - 7 pages, 102 Ko, BYT08P-400, BYT08PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES, 8A, 400V, 35 ns.
Lien : BYV79E.pdf - 6 pages, 45 Ko, Rectifier diodes BYV79E series, ultrafast, rugged, 14A, 200V.
Lien : BYT12PI.pdf - 5 pages, 87 Ko, BYT 12PI-1000, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
Lien : BYT30PI4.pdf - 5 pages, 96 Ko, BYT 30PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE.


Diodes SCHOTTKY

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Lien : 11DQ06.pdf - 4 pages, 31 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER 1.1 Amp, 11DQ05, 11DQ06, 50/60V.
Lien : 18TQ.pdf - 4 pages, 45 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER, 18 Amp, 18TQ... SERIES, PD-2.178 rev. B 12/97.
Lien : 19TQ015.pdf - 6 pages, 173 Ko, SCHOTTKY RECTIFIER, 19 Amp, 15V, PD-20266, rev. B 02/01.


Diodes ZENER et TRANSIL

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Lien : BZT03.pdf - 9 pages, 47 Ko, BZT03 series, Voltage regulator diodes.
Lien : T213.pdf - 6 pages, 83 Ko, TRANSIL série BZW04.


Thyristors

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Lien : BT145.pdf - 6 pages, 35 Ko, BT145 series, Thyristors, October 1997.
Lien : SKKT20.pdf - 4 pages, 139 Ko, SEMIPACK Thyristor / Diode Modules, SKKT 19, SKKT 20, SHHT 20 B.
Lien : BTW69-8.pdf - 5 pages, 75 Ko, SCR 32A, 200-1200V.
Lien : 2N6507.pdf - 6 pages, 76 Ko, Thyristors, SCRs, 25 A rms, 50 thru 800 V.
Lien : IRKH250X.pdf - 13 pages, 345 Ko, SCR / SCR and SCR / DIODE, IRK. SERIES, 170A, 230A, 250A, MAGN-A-pak, Power Modules, 3000 V RMS isolating voltage.


TRIACS

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Lien : Z01XXXA.pdf - 5 pages, 61 Ko, SENSITIVE GATE TRIACS, TO92, January 1995.
Lien : BTA06bc.pdf - 5 pages, 64 Ko, STANDARD TRIACS ST, 6A, 400V, 600V, 700V, 800V.
Lien : BTA12xB.pdf - 5 pages, xx Ko, STANDARD TRIACS ST
Lien : BTA12xW.pdf - 5 pages, xx Ko, SNUBBERLESS TRIACS ST
Lien : BTA40ab.pdf - 5 pages, 63 Ko, STANDARD TRIACS ST, 40A, 400V, 600V, 700V, 800V.


Transistors BIPOLAIRE NPN de puissance

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Lien : BUX48A.pdf - 7 pages, 90 Ko, BUX48/48A, BUV48A/V48AFI, HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORS.
Lien : 2N2222A.pdf - 8 pages, 74 Ko, 2N2219, 2N2222, HIGH-SPEED SWITCHES.
Lien : BD135.pdf - 4 pages, 101 Ko, NPN, 1.5A, 10WATTS, BD135 45V, BD137 60V, BD139 80V.
Lien : TIP41X.pdf - 4 pages, 54 Ko, TIP41A/41B/41C, TIP42A/42C, COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, 6A, 40V-60V-
Lien : 2N3055.pdf - 4 pages, 40 Ko, 2N3055, SILICON NPN TRANSISTOR, TO3, 100V, 15A.


Transistors BIPOLAIRE PNP de puissance

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Lien : 2N2907A.pdf - 7 pages, 82 Ko, 2N2905A, 2N2907A, GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES.
Lien : BD136.pdf - 4 pages, 105 Ko, PNP, 1.5A, 10WATTS, BD136 45V, BD138 60V, BD140 80V.
Lien : TIP41X.pdf - 4 pages, 54 Ko, TIP41A/41B/41C, TIP42A/42C, COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS, 6A, 40V-60V-
Lien : 2N3055M.pdf - 4 pages, 40 Ko, NPN 2N3055, PNP MJ2955, Complementary Silicon Power Transistors, TO3, 100V, 15A.


Transistors MOSFET canal N de puissance

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Lien : IRF830.pdf - 7 pages, 69 Ko, IRF830, IRF831, IRF832, IRF833, 4.0A and 4.5A, 450V and 500V, 1.5 and 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs, July 1998.
Lien : IRF510H.pdf - 7 pages, 48 Ko, IRF510, 5.6A, 100V, 0.54 Ohm, N-Channel Power MOSFET, January 1998.
Lien : IRF510.pdf - 7 pages, 57 Ko, IRF510, 5.6A, 100V, 0.54 Ohm, N-Channel Power MOSFET, June 1999.
Lien : IRF840.pdf - 6 pages, 171 Ko, HEXFET Power MOSFET, 500V, 8A, RDSON = 0.85 ohms.
Lien : IRF520N.pdf - 8 pages, 117 Ko, HEXFET Power MOSFET, 100V, 9.7A, RDSON = 0.20 ohms.
Lien : IRF530.pdf - 7 pages, 76 Ko, IRF530, RF1S530SM, 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs, November 1999.
Lien : IRF530N.pdf - 9 pages, 142 Ko, IRF530N, HEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, RDSON = 0.11 Ohms.
Lien : STP50N06.pdf - 10 pages, 202 Ko, STP50N06, N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, 60V, 50A, < 0,028 ohms.


Transistors MOSFET canal P de puissance

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Lien : IRF9530.pdf - 4 pages, 238 Ko, IRF9530, P-Channel Enhancement Mode Transistors, -100V, -12A, 0.30 Ohms.


Transistors IGBT de puissance

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Lien : IRG4PH30.pdf - 10 pages, 179 Ko, IRG4PH30KD UltraFast IGBT, 1200V, 10A.
Lien : IRG4PC30.pdf - 10 pages, 179 Ko, IRG4PC30KD UltraFast IGBT, 600V, 16A.
Lien : HGTG20N6.pdf - 6 pages, 136 Ko, HGTG20N60B3D, 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, January 2000.
Lien : XSH40N60.pdf - 6 pages, 92 Ko, IGBT IXSH/IXSM 40 N60 (600V-75A-2.5V), High Speed IGBT IXSH/IXSM 40 N60A (600V-75A-3.0V).
Lien : 75gb123.pdf - 6 pages, 1549 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 75 GB 123 D, 1200 V, 75 A.
Lien : GA200SAx.pdf - 8 pages, 198 Ko, GA200SA60U, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Ultra-Fast TM Speed IGBT, 600V, 100A.
Lien : 200gb123.pdf - 6 pages, 1668 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 200 GB 123 D, 1200 V, 400 A.

Lien : HGTG20N6.pdf - 6 pages, 136 Ko, HGTG20N60B3D, 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode, January 2000.
Lien : IRGPC40F.pdf - 7 pages, 108 Ko, Fast speed IGBT, 600V, 27A.
Lien : IRGPF10F.pdf - 6 pages, 109 Ko, Fast speed IGBT, 900V, 17A.
Lien : 95591.pdf - 2 pages, 55 Ko, IGBT, IXGA/IXGP12N100 1000 V 24 A 3.5 V, IXGA/IXGP12N100A 1000 V 24 A 4.0 V
Lien : 98564.pdf - 2 pages, 234 Ko, HiPerFAST TM IGBT, Lightspeed TM Series, IXGA 7N60C, IXGP 7N60C
Lien : 50GB123.pdf - 6 pages, 2291 Ko, SEMITRANS, IGBT Modules, SKM 50 GB 123 D, SKM 50 GAL 123 D, 1200 V, 50 / 40 A.
Lien : GA200TDX.pdf - 10 pages, 276 Ko, GA200TD120U, "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK, Ultra-Fast TM Speed IGBT, 1200V, 200A.


Mise à jour le dimanche 1 avril 2018 à 11 h 35 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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