T. LEQUEU, "Evolution des composants de puissance et des IGBT", mars 2004.
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Fiche : [DATA001]

Titre : T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.

Cité dans : [DIV096]  Recherches bibliographiques diverses, septembre 2016.
Cité dans :[99DIV106] T. LEQUEU, Cours de Physique des Composants - 1999/2000, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, avril 2000.
Cité dans :[99DIV083] Liste des travaux écrits de Thierry LEQUEU, février 2018.
Cité dans : [DIV123]  Liste des polycopiés de cours divers, mars 2010.
Cité dans : [DATA208] T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2000/2001, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, janvier 2001.
Auteur : Thierry LEQUEU

Vers : Ajout de 2016
Vers : Mise à jour de mars 2004
Vers : Mise à jour de décembre 2001
Vers : Recherche sur le SIT - Novembre 2001
Vers : Mise à jour de février 2001
Vers : Mise à jour de septembre 2000
Vers : Mise à jour du 30 janvier 2000
Vers : Recherche du 19 janvier 2000 - Composants - Techniques de l'Ingénieur
Vers : Recherche du 6 janvier 2000 - IGBT
Vers : Recherche du 5 janvier 2000


Recherche du 5 janvier 2000

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Questions : "state-of-art" / "trend"
  [1] :  [DIV074]  JEVL'98, Evolution et utilisation des composants de puissance - Technologie et Pédagogie.
  [2] :  [DIV130]  EPF'98, Electronique de Puissance du Futur, Belfort 1998.
  [3] : [SHEET008] M. BRUCKMANN, E. BAUDELOT, Power semiconductors in transistorized converters. from the state-of-the-art to future trends, PCIM'99.
  [4] : [SHEET009] J.-M. PETER, Power semiconductors, recent progresses, future evolutions and consequences, EPE'99 Laussanne, papxxx, pages.
  [5] : [SHEET190] C. AMBARIAN, MOSFETs and IGBTs - From the State-of-the-Art to Future Trends
  [6] : [SHEET115] H. ZELLER, High Power Components. From the State-of-the-Art to Future Trends, PCIM 1998, may 26-28, 1998, NÜRNBERG, GERMANY.
Lien : pcim/pcimpc98.txt - PCIM 1998 - TABLE OF CONTENTS
"Smart Power - From the State-of-the-Art to Future Trends", Klaus Rischmüller, Director of Strategic Marketing, SGS-THOMSON, Europe.
"High Power Components - From the State-of-the-Art to Future Trends", Hansruedi Zeller, Director of Research, ABB Semiconductors, Switzerland.
"MOSFETs and IGBTs - From the State-of-the-Art to Future Trends", Christopher Ambarian, Director Technical Marketing, International Rectifier, USA.
NEW COMPONENTS ...


Recherche du 6 janvier 2000 - IGBT

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  [1] :  [DATA002] EUPEC, Eupec's Homepage & Editorials, octobre 2003.
  [2] : [SHEET003] M. HIERHOLZER, Th. LASKA, M. MUNZER, F. PFISCH, C. SCHAFFER, Th SCHMIDT, 3rd Generation of 1200V IGBT Modules - IGBT3, PCIM-Conference 1999, Nuremberg, 6 pages.
  [3] : [SHEET004] F. AUERBACH, J.G. BAUER M. GLANTSCHNIG, J. GöTTERT, M. HIERHOLZER, A. PORST, D. REZNIK, H.-J. SCHULZE, T. SCHüTZE, R. SPANKE, 6.5kV IGBT-Modules, PCIM-Conference 1999, Nuremberg, 4 pages.
  [4] : [SHEET005] R. BARTHELMEß, M. BEUERMANN, N. WINTER, New Fast Diodes With Pressure Contact for GCT / IGBT Converters, PCIM-Conference 1999, Nuremberg.
  [5] : [SHEET006] D. WESTERHOLT,G. SCHMIDT, H.-J. SCHULZE, Power Capability and Reliability of High Power Semiconductors, PCIM-Conference 1999, Nuremberg, 5 pages.
  [6] : [SHEET007] R. BAYERER, IGBT Module Technology: State of the Art and Future Evolutions, PCIM-Conference 1999, Nuremberg, 2 pages.
  [7] : [TRIAC017] W. ZIEBOLL, Balance: development trends in power electronics


Recherche du 19 janvier 2000 - Composants - Techniques de l'Ingénieur

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Site : http://www.techniques-ingénieur.fr
Resultats : 28 références ont été trouvées.
Vers : pertinents
[ E2418 / vol.E 2 ] ASIC
[ E1160 / vol.E 1 ] Bruit de fond
[ E3520 / vol.E 4 ] Cartes à puces
[ E3925 / vol.E 5 ] Circuits hybrides
[ E3927 / vol.E 5 ] Circuits hybrides
[ E2440 / vol.E 2 ] Circuits intégrés en arséniure de gallium
[ D2050 / vol.D 2I ] Composants et matériels électriques
[ E3500 / vol.E 4 ] Composants logiques et opérateurs matériels
[ E3505 / vol.E 4 ] Composants logiques et opérateurs matériels
[ E2205 / vol.E 2 ] Composants piézo-électriques
[ D3100 / vol.D 3I ] Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres
[ D3110 / vol.D 3I ] Composants semiconducteurs de puissance
[ E3210 / vol.E 4 ] Composants à ondes élastiques
[ E2958 / vol.E 3 ] Composants électroniques
[ E1820 / vol.E 1 ] Céramiques pour composants électroniques
[ E3952 / vol.E 5 ] Dissipation thermique. Évacuation de la chaleur
[ E1420 / vol.E 3 ] Fiabilité
[ D3660 / vol.D 3III ] Machines cryoélectriques
[ E2400 / vol.E 2 ] Microélectronique
[ D66 / vol.D 1 ] Multidipôles linéaires passifs et actifs en régime harmonique
[ E1700 / vol.E 3 ] Méthodes d'assemblage pour composants électroniques
[ E2490 / vol.E 2 ] Semiconducteurs pour hyperfréquences
[ E3130 / vol.E 3 ] Synthèse et réalisation des filtres actifs
[ E3950 / vol.E 5 ] Tenue des circuits aux radiations ionisantes
[ D1035 / vol.D 1 ] Électricité statique
[ D3120 / vol.D 3I ] Électronique de puissance
[ D3220 / vol.D 3I ] Électronique de puissance Éléments de technologie
[ E3230 / vol.E 4 ] Électronique impulsionnelle

pertinents

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  [1] :  [PAP108]  [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
  [2] :  [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
  [3] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.
  [4] :  [PAP148]  [D3220][D3221], Électronique de puissance - Éléments de technologie, J. LECLERCQ, Techniques de l'Ingénieur, décembre 1994.
  [5] : [SHEET091] [D3102], Physique des semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, novembre 2000.


Mise à jour du 30 janvier 2000

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  [1] : [SHEET095] J.D. VAN WYK, Present and future trends in power electronic converters, EPE'95, Seville,  vol. 0, pp. 1-16.
  [2] : [99ART048] B.J. BALIGA, Trends in power semiconductor devices, IEEE Trans. On Electron Devices, vol. 43, no. 10, pp. 1717-1731, October 1996.
  [3] :  [PAP070]  K.G. RISCHMULLER, Smart power - On the way to system integration ?, EPE'97 Trondheim, Vol. 1, pp 1.007-1.009, 1997.
  [4] :  [PAP071]  A.A. JAECKLIN, Integration of power components - State of the art and trends, proceeding of EPE'97, Trondheim, 1997, vol. 1, pp. 1.001-1.006.
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  [6] : [SHEET017] J.-M. PETER, Components: reducing conduction losses (in power convertors), EPE'91, Firenze, Italy, 3-6 Sept 1991, vol. 1, p.95-98.
  [7] :  [PAP069]  L. LORENZ, System integration - a new milestone for future power electronic systems, EPE'97 Trondheim, vol. 1, pp. 10-15.
  [8] : [SHEET067] B.K. BOSE, Power electronics-recent advances and future perspective, Proceedings of IECON'93, pp. 14-16, vol. 1.
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 [10] : [SHEET072] G. MAJUMDAR, T. HIRAMOTO, T. SHIRASAWA, T. TANAKA, K. MOCHIZUKI, Active surge voltage clamped 600 A IPM for high power application, Proceedings of ISPSD'95, 23-25 May 1995, pp.75-79.
 [11] : [SHEET060] L. LORENZ, Key milestones for future power electronic systems, PCIM INTER '98 Japan.
 [12] : [SHEET062] L. LORENZ, Power electronic systems, Powerconversion & Intelligent Motion, December 1998, vol. 24, no. 12, pp.10,12-21.
 [13] : [SHEET063] L. LORENZ, M. MAERZ, G. DEBOY, Improved MOSFET. An important milestone toward a new power MOSFET generation, Powerconversion & Intelligent Motion, September 1998, vol. 24, no. 9, pp. 14-22.
 [14] : [99ART122] B.K. BOSE, Evaluation of modern power semiconductor devices and future trend of converters, Industry Applications Society Annual Meeting, 1-5 Oct. 1989,  vol. 1, pp. 790-797.
 [15] : [SHEET069] B.K. BOSE, Evolution of power semiconductor devices in the modern era and trend of converters, Journal of the Institution of Electronics and Telecommunication Engineers , January-February 1991, vol. 37, no. 1, pp. 3-16.
 [16] :  [PAP137]  B. K. BOSE, Advances in power electronics - its impact on the environment., proceeding of the IEEE International Symposium on Industrial Electronics, Vol 1, pp 28-30, july 1998.
 [17] :  [ART030]  B.K. BOSE, Recent Advances in Power Electronics, IEEE Transaction on Power Electronics, Vol. 7, N° 1, pp 2-16, january 1992.
 [18] : [99ART106] L. LORENZ,  M. FELDVOb, H. AMANN The IGBT - A semiconductor switch for drive systems, proceeding of EPE-MADEP'91, vol. 0, pp. 197-202.
 [19] : [TRIAC012] J.-M. PETER, Power semiconductors in 1991. Evolution and consequences., L'Onde Electrique, July-August 1992, vol.72, no.4, pp. 7-14.
 [20] : [TRIAC033] R. MURPHY, Power semiconductors, Electron, 8 March 1973, no. 23, pp. 15-23.
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Mise à jour de septembre 2000

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  [1] : [SHEET408] L. HINOVEANU, Le point sur les IGBT, revue Technologie, N° 108, mai-juin 2000, pp. 65-66.
  [2] :  [DATA159] International Rectifier, IGBT Characteristics, AN-983 (v.Int), 16 pages.
  [3] : [REVUE035] REE N°04, Revue de l'Electricité et de l'Electronique, Avril 1997.
  [4] :  [DATA166] CD-ROM, N-Series IGBT-Modules Application Manual, Reh-982, Fuji Electric.
  [5] :  [PAP214]  M. BESNIER, Etude expérimentale de l’IGBT, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1997, 26 pages.


Mise à jour de février 2001

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  [1] :  [PAP231]  L. LORENZ, IGBTs for the next decade's motor drive systems, PCIM Europe, no 1-2/2001, pp. 20-22.


Recherche sur le SIT - Novembre 2001

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  [1] :  [ART030]  B.K. BOSE, Recent Advances in Power Electronics, IEEE Transaction on Power Electronics, Vol. 7, N° 1, pp 2-16, january 1992.
  [2] : [SHEET267] H. AKAGI, The State-of -the-Art of Power Electronics in Japan, IEEE Trans. on Power Electr., vol. 13, no. 2, pp. 345-356, March 1998.
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  [4] :  [PAP442]  H. Onose, T. Yatsuo, A. Watanabe, T. Yokota, T. Ishikawa, I. Sanpei, T. Someya, Y. Kobayashi, Design Consideration for 2kV SiC-SIT, ISPSD'01.
  [5] : [SHEET258] S. JANUSZEWSKI, Discrete semiconductor devices and power integrated circuits used in power electronics equipments, 1993.
  [6] : [SHEET124] B.K. BOSE, Evaluation of modern power semiconductor devices and future trends of converters, IEEE Transactions on Industry Applications, pp. 403-413, vol. 28, no. 2, March-April 1992.
  [7] : [SHEET069] B.K. BOSE, Evolution of power semiconductor devices in the modern era and trend of converters, Journal of the Institution of Electronics and Telecommunication Engineers , January-February 1991, vol. 37, no. 1, pp. 3-16.


Mise à jour de décembre 2001

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Lien : CDE-BJT.pdf - 229 Ko, 8 pages.
Site : http://www.emae.ugal.ro/educationalprogramme/electronica_de_putere/curs_ep/pdfep/comande_du_BJT.pdf - Le 4 décembre 2001.
Lien : C8-IGBT.pdf - 235 Ko, 7 pages.
Site : http://www.emae.ugal.ro/educationalprogramme/electronica_de_putere/curs_ep/pdfep/le_igbt.pdf - Le 4 décembre 2001.


Mise à jour de mars 2004

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  [1] : [SHEET162] W. BRESCH, A.P. CONNOLLY, Future trends of power semiconductor modules, 1986.
  [2] :  [ART516]  Power loss analysis of power semiconductor devices and power converters.


Ajout de 2016

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  [1] :  [DATA504] M. SAHLI, T. PHAM, A. RAMIREZ, Etude bibliographique sur l’IGBT, 30 octobre 2015, 18 pages.


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