R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, "Volume 3. La conversion continu-continu", éditions TEC & DOC, 1997.
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Fiche : [LIVRE025]

Titre : R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.

Cité dans : [DATA019] Liste d'ouvrages en Electronique de Puissance - EDP, LMP site ST et LMP site EIT, novembre 2002.
Cité dans : [DIV141]  Publications du L2EP Lille de 1994 à 1998.
Cité dans : [DIV129]  Recherche ouvrage de SEGUIER chez Lavoisier.
Cité dans :[PAP063]
Cité dans :[LIVRE019]
Cité dans :[LIVRE122]
Auteur : Robert BAUSIERE
Auteur : Francis LABRIQUE
Auteur : Guy SEGUIER

Année : 07 - 1997
Site : http://www.lavoisier.fr
Lien : seguier.txt
Vers : Commentaires
Vers : Références citées

Stockage : Bibliothèque LMP - site EIT.
Fiche : LMP1997-41f
Référence : 9724/LMP
Date_d'achat : 21-Nov-97
Prix : 458.99 F

Mots_clés : électronique de puissance

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Rédigée par des universitaires travaillant en étroite relation avec les industriels,
la série Les convertisseurs de l'électronique de puissance est devenue la référence
de nombreux élèves ingénieurs et de professionnels. Le volet consacré à la conversion
continu-continu n'avait pas fait l'objet d'une réactualisation depuis 1987. Profondément
remaniée, cette nouvelle édition intègre les importantes évolutions dues notamment aux
composants semiconducteurs. Les auteurs ont tenu compte de l'augmentation des performances
et des calibres en courant et en tension du transistor GTO, mais aussi de la place désormais
prépondérante du transistor IGBT, qui a supplanté le transistor bipolaire dans presque toutes
les applications. Comme dans tous les ouvrages de cette collection, les auteurs proposent
ici aux électroniciens de puissance un outil de travail efficace, en prise directe avec leurs
préoccupations concrètes. Résolument pratique, ce volume comporte de nombreuses figures et
tableaux, ainsi qu'une vaste bibliographie accessible par thèmes.

Vers : Chapitre 1 : Généralités sur les convertisseurs, les générateurs et les récepteurs.
Vers : Chapitre 2 : Présentation des structures des convertisseurs continu-continu sans transformateur intermédiaire.
Vers : Chapitre 3 : Fonctionnement et caractéristiques des convertisseurs continu-continu sans transformateur intermédiaire.
Vers : Chapitre 4 : Les alimentations à découpage.
Vers : Chapitre 5 : Les semiconducteurs de puissance en commutation. 243
Vers : Chapitre 6 : Circuits d'aide à la commutation. 341
Vers : Chapitre 7 : Convertisseurs continu-continu à interrupteurs résonnants.
Vers : Appendice A : Application des hacheurs à la traction électrique.
Vers : Appendice B : Réduction des surtensions au blocage des interrupteurs.
Vers : Bibliographie


Chapitre 1 : Généralités sur les convertisseurs, les générateurs et les récepteurs.

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1.1 : Les principaux types d'interrupteurs à semiconducteurs.
1.2 : Caractérisation des générateurs et des récepteurs.
1.3 : Les interrupteurs à semiconducteurs au sein des convertisseurs.
1.4 : Les temps - Conséquence sur l'étude.


Chapitre 2 : Présentation des structures des convertisseurs continu-continu sans transformateur intermédiaire.

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2.1 : Eléments communs à tous les convertisseurs continu-continu à liaison directe.
2.2 : Convertisseurs continu-continu à liaison directe à deux interrupteurs.
2.3 : Convertisseurs continu-continu en pont.
2.4 : Convertisseurs continu-continu à liaison indirecte.


Chapitre 3 : Fonctionnement et caractéristiques des convertisseurs continu-continu sans transformateur intermédiaire.

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3.1 : Convertisseurs directs : étude générale.
3.2 : Convertisseurs directs : application aux hacheurs alimentant un moteur à courant continu.
3.3 : Convertisseurs directs : application aux alimentations à découpage.
3.4 : Convertisseurs indirects.


Chapitre 4 : Les alimentations à découpage.

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4.1 : Introduction. 163
4.2 : Convertisseur à stockage inductif isolé : montage flyback. 167
4.3 : Convertisseur du type série isolé : montage forward. 184
4.4 : Montages asymétriques entrelacés. 206
4.5 : Montages asymétriques à sorties multiples. 212
4.6 : Montages symétriques. 216
4.7 : Notes sur le hacheur élévateur utilisé en correcteur du facteur de puissance. 235


Chapitre 5 : Les semiconducteurs de puissance en commutation. 243

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5.1 : Les propriétés électriques du cristal de silicium. 243
5.2 : Les diodes. 257
5.3 : Les transistors Mosfet de puissance. 269
5.4 : Les transistors IGBT. 284
5.5 : Les transistors bipolaires. 294
5.6 : Les thyristors. 306
5.7 : Les thyristors GTO. 322 MCT p335
5.8 : L'intégration des composants de puissance. 338


Chapitre 6 : Circuits d'aide à la commutation. 341

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6.1 : Influence de la présence d'éléments L et C dans la cellule de commutation.
6.2 : Pertes de commutation dans les interrupteurs commandés - Energie stockée dans les éléments L et C.
6.3 : Evacuation de l'énergie stockée dans le circuit d'aide à la commutation.


Chapitre 7 : Convertisseurs continu-continu à interrupteurs résonnants.

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7.1 : Interrupteurs résonnants monocommandés.
7.2 : Cellules de commutation à interrupteur résonnant.
7.3 : Convertisseurs continu-continu quasirésonnants en mode ZCS.
7.4 : Convertisseurs continu-continu quasirésonnants en mode ZVS.
7.5 : Interrupteurs multirésonnants.
7.6 : Interrupteurs résonnants bicommandés.


Appendice A : Application des hacheurs à la traction électrique.

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A.1 : Commande par hacheur du moteur série.
A.2 : Utilisation de hacheurs entrelacés.
A.3 : Utilisation d'un hacheur multiniveau.


Appendice B : Réduction des surtensions au blocage des interrupteurs.

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B.1 : Protection des diodes contre les surtensions au blocage par circuit RC.
B.2 : Protection des interrupteurs commandés contre les surtensions au blocage.


Bibliographie

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1. Les semiconducteurs de puissance.
1.11 Evolution des composants de puissance (6 réf.) 490
M.-S. ADLER, K.-W. OWYANG, B.-J. BALIGA, ..., "The evolution of power device technology", IEEE transaction on Electron Devices, 1984, 31(11), pp. 1570-1591 (83 réf.).
B.-J. BALIGA, "Evolution of MOS-bipolar semiconductor technology", proceeding IEEE, 1988, 76 (4), pp. 409-418 (29 réf.).
  [1] : [SHEET350] B.-J. BALIGA, Evolution of MOS-bipolar semiconductor technology, proceeding IEEE, 1988, vol. 76, pp. 409-418.
  [2] : [SHEET068] B.K. BOSE, Power electronics - a technology review, Proceedings of the IEEE, August 1992, Vol. 80, No. 8, pp. 1303-1334.
  [3] : [99ART047] BALIGA B.J., Trends in power discrete devices, Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs ISPSD 98, pp 5-10, june 1998.
K. SHENAI, R.-S. SCOTT, B.-J. BALIGA, "Optimum semiconductors fo high-power electronics", IEEE transaction on Electron Devices, 1989, 36 (9), pp. 1811-1823 (57 réf.).
M. BHATNAGAR, B.-J. BALIGA, "Comparison of 6H-SiC, 3C-Sic and Si dor power devices", IEEE Transcation on Electron Devices, 1993, 40 (3), pp. 645-655 (44 réf.).
2. Les hacheurs. 490
3. Les alimentations à découpage.

Symboles utilisés.
Index alphabétique.


Références citées

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Cité dans :[99DIV088] T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1999/2000, E.I.T. 2ième année, option GEA, janvier 2000.
Cité dans :[99DIV106] T. LEQUEU, Cours de Physique des Composants - 1999/2000, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, avril 2000.
Cité dans : [DIV004]  T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1999/2000, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, juin 2000.
Cité dans :[99DIV057] T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1998/1999, CAPET GE, notes de cours, juin 1999.
Cité dans : [DIV122]  T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1996/1997, E.I.V.L. 4ième année, 200 pages.


Mise à jour le dimanche 1 avril 2018 à 11 h 24 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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