Rapport : [THESE033]
Titre : F. SODDU, Etude et réalisation d'une commande de grille flottante pour un MBS, rapport de stage EIVL, Février-Juillet 1998.
Cité dans : [DIV121] Liste des rapports de stages IUT, DEA, P2I EIT, stages de fin d'études, avril 2013. Cité dans : [DIV005] Recherche sur les mots clés : LEVEL SHIFTER, octobre 1999. Cité dans : [DIV066] Recherche sur le mot clé : TRIAC* Cité dans : [DATA044] Articles pertinents sur les TRIACs classées par années. Cité dans : [DATA048] Articles d'applications sur les TRIACs classées par années. Cité dans :[DIV198] Cité dans :[99DIV019] Cité dans :[DATA033] Cité dans :[THESE032]Auteur : Frédéric SODDU
Date : Février-Juillet 1998
Service : Laboratoire d'Application
Responsable : Laurent GONTHIER
Info : EIVL option Microélectronique de Puissance
Stockage : bibliothèque LMP
Résumé :
Dans la première partie de ce rapport nous avons caractérisé les temps de commutation des MBS ainsi
que leur courant de Latch-up. Pour réaliser ces mesures il a tout d'abord fallu définir une carte
de mesure fiable ainsi qu'un générateur d'impulsion adapté à nos besoins.
Dans la deuxième partie nous avons abordé deux montages permettant de commander un MBS référencé
par rapport à un potentiel flottant. Le montage utilisant le transformateur d'impulsion est une
solution à base de composant discret qui nous a permis de valider la faisabilité de la commande.
Le deuxième circuit de commande est le Level shifter, c'est une solution tout silicium qui pourra
être entièrement intégré contrairement à la précédente. Enfin ces deux études posent les premières
bases de ce qu'on appelle un interrupteur secteur "intelligent".
Références : 14
[1] : [THESE068] D. BERGOGNE, Etude et mise en oeuvre des circuits de commande de l'IGBT. Thèse, université BlAISE PASCAL Clermond-Ferrand. [2] : [THESE039] F. DOMARD, Etude et réalisation d'un DEMONSTRATEUR d'un Interrupteur Secteur Intelligent à base de MBS (filière ASD3), rapport de stage MEA3, 1997. [3] : [PAP063] [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages. [4] : [DATA025] PH. RABIER, Triac control by pulse transformer, Application note AN436, STMicroelectronics, juin 1992. [5] : [PAP063] [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages. [6] : [DATA026] Application manual, ST62. General purpose, 1st edition, SGS-THOMSON Microelectronics. [7] : [DIV201] Catalogue SCHAFFNER, Transformateurs d'impulsions. [8] : [DATA027] MM ESCAUT, LUC, MARTY Pierre et SOUA, Cours d'électronique de puissance ENSEEIHT,vol. H30, pp. 1-34. [9] : [SHEET114] A. JAAFARI, A. SANDALI, D. BERGOGNE, IGBT un nouveau composant de puissance, COMCONEL 90 Conference, Cairo, Dec. 1990. [10] : [DATA028] AN351, Novel protection and gate drives for Mosfets used in bridge'leg configurations, Application note AN351, STMicroelectronics. [11] : [THESE032] B. CHERON, Etude et réalisation d'un convertisseur statique d'énergie alternatif-alternatif direct monophasé, rapport de DEA, février-aout 1998. [12] : [LIVRE178] D.A. NEAMEN, SEMICONDUCTOR PHYSICS AND DEVICES. [13] : [LIVRE179] D.A. GRANT, J. GAWARD, POWER MOSFETS - Theory and Applications. [14] : [LIVRE016] G. CHEVALIER, J.-C. CHAUVEAU, B. CHEVALIER, MEMOTECH ELECTRONIQUE composants, collection A. CAPLIEZ, 4e édition, août 1997.
1 : Dominique BERGOGNE "Etude et mise en oeuvre des circuits de commande de l'IGBT". Thèse, université BlAISE PASCAL Clermond-Ferrand, pp. 47-58.
2 : F. DOMARD, Etude et réalisation d'un DEMONSTRATEUR d'un Interrupteur Secteur Intelligent à base de MBS (filière ASD3), rapport de stage MEA3, 1997, pp. 33-34
3 : Technique de l'ingénieur, "Interface commande puissance", Volume D 3 120, pp 3 à 10.
4 : Application note SGS-THOMSON AN436 , "Triac control by pulse transformer",pp 939 à 943.
5 : Technique de l'ingénieur, "Circuits de commande avec isolation", Volume D 3 121, pp 15 à 17
6 : ST62. General purpose, Application manual. 1st edition, SGS-THOMSON Microelectronics, pp 19
7 : Notice SCHAFFNER, Transformateurs d'impulsion, pp 11 et 12
8 : Cours d'électronique de puissance ENSEEIHT, MM ESCAUT, LUC, MARTY Pierre et SOUA, pp H 30 1 à H 30 34.
9 : A. JAAFARI, A. SANDALI, D. BERGOGNE "IGBT un nouveau composant de puissance", COMCONEL 90 Conference, Cairo, Dec. 1990
10 : Application note DESCRETE POWER SEMICONDUCTOR (STM), "Novel protection and gate drives for Mosfets used in bridge'leg configurations", réf. AN351 pp 309 to 314.
11 : B. CHERON, Etude et réalisation d'un convertisseur statique d'énergie alternatif-alternatif direct monophasé, rapport de DEA, juin 1998.
12 : "SEMICONDUCTOR PHYSICS AND DEVICES", Donald A. NEAMEN, pp 422 to 425
13 : "POWER MOSFETS - Theory and Applications", Duncan A. Grant, John Gaward, pp. 97 à 145
14 : G. CHEVALIER, J.-C. CHAUVEAU, B. CHEVALIER, MEMOTECH ELECTRONIQUE composants, collection A. CAPLIEZ, 4e édition, août 1997, 2.117, 2.111, 3.52.
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