Article : [SHEET005]

Titre : R. BARTHELMEß, M. BEUERMANN, N. WINTER, New Fast Diodes With Pressure Contact for GCT / IGBT Converters, PCIM-Conference 1999, Nuremberg.

Cité dans : [DATA002] EUPEC, Eupec's Homepage & Editorials, octobre 2003.

Stockage : Thierry LEQUEU
Info : (first given on the PCIM-Conference 1999, Nuremberg)
Lien : private/Winter.pdf - 4 pages, 64 Ko.

Abstract :
New power semiconductor switches, like IGBT and GCT (gate commutated
thyristor), offer excellent switching performance and make
snubberless converter design possible. New FWD (free-wheeling diodes)
in standard ceramic press-pack housings have been developed for these
new demands. 4500V-1030A diodes in 100mm standard press-pack housings
show excellent switching behavior at high di/dt and a wide range of
the junction temperature up to 140°C.
The press-pack concept guarantees redundancy in series connection,
well known power cycling capability and high case rupture currents.

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