Article : [SHEET004]

Titre : F. AUERBACH, J.G. BAUER M. GLANTSCHNIG, J. GöTTERT, M. HIERHOLZER, A. PORST, D. REZNIK, H.-J. SCHULZE, T. SCHüTZE, R. SPANKE, 6.5kV IGBT-Modules, PCIM-Conference 1999, Nuremberg, 4 pages.

Cité dans : [DATA002] EUPEC, Eupec's Homepage & Editorials, octobre 2003.

Stockage : Thierry LEQUEU
Info : (first given on the PCIM-Conference 1999, Nuremberg)
Lien : private/GOTTERT.pdf - 4 pages, 62 Ko.

Abstract :
Power control in applications with a line voltage of 3kV DC and more
today is managed by GTOs and IGCTs. The IGBT, a device with several
advantages compared to power semiconductors in thyristor structure
(low requirements regarding the driving unit, easy cooling as a
result of the isolated structure) is fully developed and introduced
up to a blocking voltage range of 3.3kV. With the development of
6.5kV IGBT-modules, eupec makes a power semiconductor available,
which combines the advantages of IGBT-technology with the high
blocking voltage capability of GTOs and IGCTs without the problems of
series connection.

Références : 3
[1] : Thomas Schütze, "Design Aspects for Inverters with IGBT High Power Modules", PCIM Hongkong, 1997.
[2] : H.P. Degisher, G. Lefranc, K.H.Sommer, "Al-SiC improves Reliability of IGBT Power Modules", Proc. ICCM 12, Paris 1999.
[3] : Herrmann Berg, Martin Hierholzer, Thomas Schütze, "Further Improvements in the Reliability of IGBT Modules", IAS St. Louis 1998.

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