F. S. LOMELI, A. CERDEIRA, "Precise macromodel applied to high-voltage power MOSFET", Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 1, January 2002, pp. 149-152.

F. S. LOMELI, A. CERDEIRA, "Precise macromodel applied to high-voltage power MOSFET", Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 1, January 2002, pp. 149-152. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Titre : F. S. LOMELI, A. CERDEIRA, Precise macromodel applied to high-voltage power MOSFET, Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 1, January 2002, pp. 149-152.

Cité dans :[REVUE281] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 42, Issue 1, Pages 1-156, January 2002.
Cité dans : [DIV334]  Recherche sur les mots clés power cycling of power device, mai 2002.

Auteur : F. S. Lomeli (a)
Auteur : A. Cerdeira (b)

Vers : Bibliographie
Adresse : (a) On Semiconductor, Labna 1437, Cd. del Sol 45050, Zapopan, Jal., Mexico
Adresse : (b) Dept de Ingenieria Electrica, SEES - CINVESTAV - IPN, Ave. IPN 2508, AP 14-740, Col. S.P. Zacatenco, 07300 Mexico DF, Mexico
Tel. : +52-5747-3780
Fax. : +52-5747-7114
Lien : mailto:cerdeira@mail.cinvestav.mx
Source : Microelectronics Reliability
Volume : 42
Isues : 1
Date : January 2002
Pages : 149 - 152
DOI : 10.1016/S0026-2714(01)00127-5
PII : S0026-2714(01)00127-5
Lien : private/LOMELI1.pdf - 4 pages, 177 Ko.
Switches :
Puissance :
Logiciel :
Stockage :

Abstract :
A macromodel for precise simulations of high-voltage power MOSFET is presented.
The macromodel takes into account basic features of these devices as higher
value of the resistance between channel and drain and lower current level though
the body diode compared to low-voltage power MOSFET. It also considers that
high-voltage power MOSFET work mostly in saturation regime. All required
parameters are extracted from direct electrical measurements. Simulations using
this and previous macromodels are compared with experimental DC and AC
characteristics to demonstrate a much better correspondence with experiment of
the macromodel presented.

Article Outline
1. Introduction
2. Macromodel
3. Parameter extraction
4. Analysis of results
5. Conclusions

Bibliographie

Références : 4
[1] : Kielkowsky RM. practical device modeling. New York: McGraw Hill; 1995 [Chapter 6].
[2] : Model developed by Analogy, Inc. is available in www.onsemi.com.
[3] : Baliga BJ. Power semiconductor devices. PWS Publishing Company; 1996.
[4] : Lomelí FS. El transistor MOS de potencia: características, modelo y simulación. MS Degree Thesis, CINVESTAV, México, 1999.

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