Article : [ART196]
Info : REPONSE 7, le 06/05/2002.
Titre : Void induced thermal impedance in power semiconductor modules: some transient temperature effects, 2001.
Cité dans : [DIV334] Recherche sur les mots clés power cycling of power device, mai 2002.Auteur : Katsis D.C.
Source : Conference Record of the 2001 IEEE Industry Applications Conference. 36th IAS Annual Meeting (Cat. No.01CH37248) Piscataway, NJ, USA: IEEE, 2001.
Pages : 1905 - 1911
Volume : 3 of 4 vol.xxxvii+2743 pp.
Références : 12 refs.
Conference : Chicago, IL, USA
Date : 30 Sept-4 Oct 2001
Price : CCCC 0 7803 7114 3/2001/$10.00
ISBN : 0-7803-7114-3
Document_Type : Conference Article
Treatment_Code : Practical
Info : Country of Publication : United States
Language : English
Stockage :
Switches :
Power :
Software :
Abstract :
The operation of power semiconductor modules creates thermal stresses
that grow voids in the solder die-attach layer. These voids reduce the
ability of the die-attach solder layer to conduct heat from the silicon
junction to the heat spreader. This results in increased thermal
impedance. The effect of accelerated aging on solder bond voiding and on
thermal transient behavior is investigated. Commercially packaged TO-247
style MOSFETs are power cycled, imaged, and thermally analyzed to generate
a correlation between void percentage and thermal impedance.
Accession_Number : 2001:7082188 INSPEC
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 46 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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