Article : [ART195]

Info : REPONSE 5, le 06/05/2002.

Titre : Reliability design technology for power semiconductor modules, 2001.

Cité dans : [DIV334]  Recherche sur les mots clés power cycling of power device, mai 2002.

Source : Fuji Electric Review
Date : 2001
Volume : 47
Numéro : 2
Pages : 54 - 58
Références : 0 refs. Published by: Fuji Electric Co
CODEN : FUERBV
ISSN : 0429-8284
SICI : 0429-8284(2001)47:2L.54:RDTP;1-F
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Practical
Info : Country of Publication : Japan
Language : English
Stockage :
Switches : IGBT modules

Abstract :
The market for power semiconductor modules is spreading not only to
general-purpose inverters, servo motor drives, NC machine tools and
elevators but also to new applications through the realization of electric
vehicles and renewable energy systems. Fuji Electric has developed various
power modules in response to market needs, and as the market expands in
the future, the required performance for power modules will surely become
diversified and advanced. This paper introduces our efforts to lengthen
the power cycling lifetime of IGBTs (insulated gate bipolar transistors),
which is of great importance to the market.

Accession_Number : 2001:7083175 INSPEC

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