V.A. SANKARAN, C. CHEN, C.S. AVANT, X. XU, "Power cycling reliability of IGBT power modules", IAS Annual Meeting, 1997.

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Article : [ART192]

Info : REPONSE 29, le 06/05/2002.

Titre : V.A. SANKARAN, C. CHEN, C.S. AVANT, X. XU, Power cycling reliability of IGBT power modules, IAS Annual Meeting, 1997.

Cité dans : [DIV334]  Recherche sur les mots clés power cycling of power device, mai 2002.
Cité dans : [DATA046] IAS'97, Industrial and Commercial Power Systems Technical Conference, 1997 IEEE/IAS, 1997
Cité dans :[PAP404]

Auteur : Sankaran, V.A. (Ford Research Lab, Dearborn, MI, USA)
Auteur : Chen, C.;
Auteur : Avant, C.S.
Auteur : Xu, X.

Lien : PAP404.HTM#Bibliographie - référence [3].
Meeting : Proceedings of the 1997 IEEE Industry Applications Conference 32nd IAS Annual Meeting.Part 2 (of 3).
Info : organization : IEEE
Location : New Orleans, LA, USA
Date : 05 Oct 1997-09 Oct 1997
Source : Conference Record - IAS Annual Meeting (IEEE Industry Applications Society) v 2 1997.IEEE, Piscataway, NJ, USA,97CB36096.p 1222-1227
CODEN : CIASDZ
ISSN : 0197-2618
Année : 1997
Meeting_Number : 47742
Document_Type : Conference Article
Treatment_Code : Theoretical
Language : English
Stockage :
Switches : IGBT module

Abstract :
The goal of this study was to understand the power cycling
reliability of IGBT power modules.These power modules are made up of
multi-layer stacks and consists of multiple power dice in parallel.The
interconnection schemes within the module include, leadframes soldered to
the substrate, die attachment using solder and wirebonds.Thermal and Power
cycling fatigues material interfaces because of the CTE mismatch between
dissimilar materials.In addition wirebonds on the dice are prone to
debonding because of the thermally induced stresses.Tests were designed to
understand the power cycling reliability of these large transistor
modules.Results from the tests are summarized in the following
sections.(Author abstract)

References : 4 Refs.

Accession_Number : 1998(14):6487 COMPENDEX

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