Pôle Nord-Ouest

	Responsables du Pôle :
Olivier Bonnaud		GMV
: 02 23 23 60 71	: 02 23 23 56 57

	Représentants des doctorants :
JF Michaud		GMV
: 02 23 23 63 57	: 02 23 23 56 57
Jean-Baptiste Kammerer
: 03 88 77 75 20	: 03 88 28 34 85

Thèmes :

Adéquation algorithme architecture.

Nouvelles technologies en synthèse d'architecture.

Synthèse d'architecture et de systèmes.

Technologies plasmas : procédés de gravure et dépôt de couches minces.

Elaboration de couches minces (silicium polycristallin, poreux, isolants).

Caractérisation et modélisation de dispositifs couches minces.

Conception de circuits hyperfréquences et radiofréquences.

Radar, télécommunications.

Compatibilité électromagnétique.

Technologie du silicium, test et fiabilité.

Application aux micro-technologies.

Analyse des systèmes de conversion d'énergie et de protection contre les surcharges.

Effectifs :

69 permanents (Enseignants-chercheurs, HDR, CNRS).

Environ 110 doctorants.

Moyens spécifiques :

CAO, Installations du CCMO (salle blanche...), Bâtis de dépôt (APCVD, LPCVD, SAPCVD, PECVD, pulvérisation cathodique, évaporation), Caractérisation électriques, physiques et fonctionnelle, Analyseur de spectre, Implanteur ionique...

Formations doctorales :

Université de Rennes 1, INSA, IRESTE, ENSSAT, IMN, Université de Nantes, Ecole doctorale Biologie-sciences avec option électronique de puissance (Tours).

Laboratoires concernés :

GMV (Rennes), LASTI (ENSSAT), LCST (INSA), LPCM (IMN), SEI (IRESTE), LPM (Tours).

Industriels concernés :

Alcatel Telecom . Bouygues Telecom. CELAR. CEA. CNES. ST microelectronics.

France Telecom . CNET. Sopra SA.