Article : [TRIAC028]

Info : INSPEC Answer Number 42 - 29 septembre 1999

Titre : E.J. OSWALD, Thyristors : status of technologies, Electronic Progress, Spring 1979, vol. 21, no. 1, pp. 30-32.

Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*

Source : Electronic Progress vol.21, no.1.
Pages : 30 à 32
Date : Spring 1979
CODEN : ELTPAP
ISSN : 0013-4961
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU
Figure_1 : MESA SCR, non Bevelled.
Figure_2 : MESA SCR, Bevelled.
Figure_3 : Glass Passivated SCR.
Figure_4 : Planar SCR
Page_33 : Author's biographies - Peter Brigthon - Robert A. SHEPPARD - Peter Wilbourne - Erwin J. OSWALD - John McNeil

Abstract :
The four layer device has seen a spectacular evolution since its introduction into the market place in 1957. This article highlights
the possibilities of today's device technology with emphasis on the lower power portion of the power spectrum. Five layer devices,
such as Triacs, are also available using the same processes. A brief outlook into the future is given.

Controlled_Indexing : SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY; TECHNOLOGICAL FORECASTING; THYRISTORS
Supplementary_Indexing : four layer device; device technology; lower power; processes; future; thyristors; five layer devices
Accession_Number : 1980:1446285
Référence : 0 refs.

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