Article : [SHEET339]

Titre : W. WU, P. SCACCO, M. HELD, P. JACOB, Electrical Overstress Failure in Power Insulated Gate Bipolar Transistors Modules, 21th International Symposium for Testing and Failure Analysis, 1995, pp 159-162.

Cité dans : [DIV137]  Recherche sur les mots clés : FIABILIT* ou RELIABILITY, octobre 1999.
Cité dans : [CONF043] ISTFA, International Symposium for Testing and Failure Analysis et IEE proc. IGBT propulsion drives, London, mai 2002.
Cité dans :[99DIV133] Recherche sur l'auteur Peter JACOB, juin 2000.
Cité dans :[SHEET321]

Lien : SHEET321.HTM#Bibliographie - référence [15].
Stockage : Thierry LEQUEU (27 mai 2000)
Source : 21th International Symposium for Testing and Failure Analysis
Date : 1995
Pages : 159 - 162

Bibliographie

  [1] : [SHEET068] B.K. BOSE, Power electronics - a technology review, Proceedings of the IEEE, August 1992, Vol. 80, No. 8, pp. 1303-1334.
  [2] : [SHEET350] B.-J. BALIGA, Evolution of MOS-bipolar semiconductor technology, proceeding IEEE, 1988, vol. 76, pp. 409-418.

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Copyright 2023 :

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.