Article : [SHEET258]
Info : INSPEC Answer Number 10, le 16/03/2000.
Titre : S. JANUSZEWSKI, Discrete semiconductor devices and power integrated circuits used in power electronics equipments, 1993.
Cité dans : [DATA050] Recherche sur l'auteur S. JANUSZEWSKI Cité dans :[DATA001]Auteur : Januszewski, S. (Instytut Elektrotech., Warsaw, Poland)
Source : Prace Instytutu Elektrotechniki (1993) vol.41, no.174
Année : 1973
Pages : 9 - 32
References : 25 refs.
CODEN : PIELA4
ISSN : 0032-6216
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Practical
Info : Country of Publication : Poland
Language : Polish
Stockage :
Abstract :
Advances in power semiconductor devices are reviewed. Rectifier
diodes, power transistors, various kinds of thyristors and power
integrated circuits are discussed. In the case of switches the power
MOSFET, IGBT, and SIT have been replacing the bipolar transistors due to
ease of control. SCR, GTO, SITH, and MCT thyristors are presented. The
future trend of semiconductor devices and power integrated circuits are
given.
Accession_Number : 1993:4551725
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