Article : [SHEET255]

Info : INSPEC Answer Number 7, le 16/03/2000.

Titre : S. JANUSZEWSKI, M. KOCISZEWSKA-SZCZERBIK, H. SWIATEK, Causes and mechanisms of semiconductor device failures in power converter service conditions, 1995.

Cité dans : [DATA050] Recherche sur l'auteur S. JANUSZEWSKI
Cité dans : [DIV134]  EPE'95, European Conference on POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS, Seville, Espagne, september 1995.
Cité dans :[SHEET155]

Lien : SHEET155.HTM#Bibliographie - référence [19]
Source : EPE'95. 6th European Conference on Power Electronics and Applications Brussels, Belgium: EPE Assoc, 1995.
Pages : 625 - 630
Volume : 1 of 4 vol. (xxxii+42+xxxiv+948+xxx+928+1032) pp.
References : 22 refs.
Conference : Seville, Spain
Date : 19-21 Sept 1995
Sponsor(s) : Eur. Power Electron. & Drives Assoc
Document_Type : Conference Article
Treatment_Code : Practical
Info : Country of Publication : Belgium
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU, le 4 juillet 2000.

Abstract :
Identification of causes of power semiconductor device failure in
service conditions provides an important information on problems of power
converter circuit design, manufacture and operation. The main failure
mechanisms of GTO thyristors, IGBT transistors and power MOSFETs are
presented. Expert systems used in power semiconductor device failure
analysis are also discussed.

Accession_Number : 1997:5546039

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