Article : [SHEET023]
Info : INSPEC Answer Number 18 - 13/01/2000
Titre : J.-M. PETER, B. NADD, Power electronics, from the discrete component to the function, EPE'87.
Cité dans : [DATA004] Recherche sur l'auteur Jean Marie PETER, janvier 2000.Auteur : Peter, J.M.; Nadd, B. (Thomson Semicond., Tours, France)
Source : Second European Conference on Power Electronics and Applications: EPE. Proceedings
Lieu : Paris, France: EPE Int. Committee, 1987. p.43-8 vol. of 3 vol. (1318+72) pp. 0 refs.
Conference : Grenoble, France, 22-24 Sept 1987
Info : Country of Publication : France
Language : English
Abstract :
The advent of a new technology allowing the integration on the same
silicon chip of power devices along with signal processing circuitry
offers new opportunities. The authors report the development of a
500 V self protecting MOS transistor prototype. They also give an
overview of future developments in this area.
Accession_Number : 1988:3239603
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