Revue : [REVUE329]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 36, Issues 7-8, Pages 845-1136 (8 July 1996.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 36, Issues 7-8,
Pages : 845-1136 (8 July 1996)

[1] : A review of hot-carrier degradation mechanisms in mosfets, Pages 845-869
Alexandre Acovic, Giuseppe La Rosa and Sun Yuan-Chen
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[2] : Breakdown of thin gate silicon dioxide films -- a review, Pages 871-905
M. Nafría, J. Suñé and X. Aymerich
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[3] : ESD issues for advanced CMOS technologies, Pages 907-924
Charvaka Duvvury and Ajith Amerasekera
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[4] : Electromigration failure of contacts and vias in sub-micron integrated
circuit metallizations, Pages 925-953
Anthony S. Oates
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[5] : Failures induced on analog integrated circuits by conveyed electromagnetic
interferences: a review, Pages 955-972
G. Masetti, S. Graffi, D. Golzio and Zs. M. Kovács-V
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[6] : Reliability of InGaAs/InP based separate absorption grading multiplication
avalanche photodiodes, Pages 973-1000
P. Montangero, G. A. Azzini, H. C. Neitzert, G. Ricci and L. Serra
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[7] : Plastic packages survive where hermetic packages fail, Pages 1001-1018
Nihal Sinnadurai
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[8] : Modelling considerations and development of upper limits of stress
conditions for dielectric breakdown projections, Pages 1019-1031
R. -P. Vollertsen and W. W. Abadeer
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[9] : Electrical and radiation tests of thin tunnel oxides, Pages 1033-1044
A. Paccagnella, A. Rizzato, A. Scarpa, E. Zanoni, G. Crisenza and G.
Ghidini
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[10] : Electromigration in al based stripes: low frequency noise measurements and
MTF tests, Pages 1045-1050
P. E. Bagnoli, C. Ciofi, B. Neri and G. Pennelli
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[11] : The evolution of the microscopic damage in electromigration studied by
multiple electrical measurements, Pages 1051-1062
B. K. Jones, Xu Y. Z. and P. Zobbi
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[12] : Failure-analysis-based test chip design for quick yield improvement, Pages
1063-1075
Chisato Hashimoto and Shigeru Nakajima
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[13] : Advanced RBSOA analysis for advanced power BJTs, Pages 1077-1093
Giovanni Busatto, Luigi Fratelli and Alfonso Patti
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[14] : Blue shift and mirror degradation in InGaAs/GaAs strained quantum well
lasers, Pages 1095-1105
L. Serra, G. A. Azzini and P. Montangero
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[15] : Diagnostics of the quality of mosfets, Pages 1107-1112
E. P. Vandamme and L. K. J. Vandamme
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[16] : Diagnosis in submicron integrated circuits by electric force microscopy,
Pages : 1113-1118
C. Böhm, J. Sprengepiel and E. Kubalek
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[17] : Pseudomorphic hemts reliability with scattering and noise parameters,
Pages : 1119-1124
P. Conti and P. Audagnotto
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[18] : Built-in self-test and diagnostic support for safety critical
microsystems, Pages 1125-1136
T. Olbrich, A. M. D. Richardson and D. A. Bradley
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