Revue : [REVUE297]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 38, Issue 1, Pages 1-178 (January 1998.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 38, Issue 1,
Pages : 1-178 (January 1998)
Export Citations
checked docs: display checked docs

[1] : Reliability phenomena under AC stress, Pages 1-5
Hu Chenming
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (284 K)

[2] : Hot-carrier injections in SiO2, Pages 7-22
D. VuillaumeA. Bravaix and D. Goguenheim
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (1347 K)

[3] : A low-frequency noise study of hot-carrier stressing effects in submicron
Si p-MOSFETs, Pages 23-27
P. Vasina, E. Simoen and C. ClaeysJ. Sikula
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (301 K)

[4] : Change in d.c. and 1/f noise characteristics of n-submicron MOSFETs due to
hot-carrier degradation, Pages 29-35
L. K. J. Vandamme and X. Li
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (462 K)

[5] : Dielectric reliability measurement methods: a review, Pages 37-72
Andreas Martin, Paula O'Sullivan and Alan Mathewson
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (2708 K)

[6] : Gate oxide leakage due to temperature accelerated degradation under plasma
charging conditions, Pages 73-79
Tomasz Broek, Y. David Chan and Chand R. Viswanathan
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (530 K)

[7] : Ultrathin RTP oxynitride dielectrics on planar, trench and three
dimensional structures, Pages 81-85
Son V. Nguyen, Nguyen Tue, D. Carl, D. Pricer, J. W. Korejwa and D.
Dobuzinsky
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (275 K)

[8] : The influence of addition elements on the early resistance changes
observed during electromigration testing of Al metal lines, Pages 87-98
W. A. De Ceuninck, V. D'Haeger, J. Van Olmen, A. Witvrouw, K. Maex, L. De
Schepper, P. De Pauw and A. Pergoot
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (858 K)

[9] : The modeling of resistance changes in the early phase of electromigration,
Pages : 99-105
Ton J. Mouthaan and Violeta Petrescu
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (486 K)

[10] : A study of the influence of inter-metal dielectrics on electromigration
performance, Pages 107-113
Sean Foley, Anne Ryan, David Martin and Alan Mathewson
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (392 K)

[11] : Component level ESD testing, Pages 115-128
Koen Verhaege
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (1007 K)

[12] : Using charged device model testing to eliminate real-world ESD failures,
Pages : 129-143
Andrew H. Olney
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (918 K)

[13] : Linewidth control effects on MOSFET ESD robustness, Pages 145-152
S. Voldman, J. Never, S. Holmes and J. Adkisson
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (613 K)

[14] : Reliability of III-V based heterojunction bipolar transistors, Pages
153-161
K. A. Christianson
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (719 K)

[15] : Numerical analysis on determining the physical mechanisms contributing to
the abnormal base current in post-burn-in AlGaAs/GaAs HBTs, Pages 163-170
S. Sheu and J. J. LiouC. I. Huang
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (326 K)

[16] : Degradation mechanism of GaAs MESFETs, Pages 171-178
Kyoung Mun Jae, Jong-Lam Lee, Kim Haecheon, Byung-Taek Lee, Jin Lee Jae
and Kwang-Eui Pyun
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (547 K)

[17] : Editorial, Page iii
Lien : vide.pdf - Format-PDF (47 K)

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 56 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Copyright 2023 :

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.