Revue : [REVUE242]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 39, Issue 12, Pages 1721-1902 (17 December 1999.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 39
Issue : 12
Pages : 1721 - 1902
Date : 17 December 1999

[1] : , Page 1721
Fausto Fantini, J. J. Liou and Mitsuo Fukuda
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[2] : Reliability of compound semiconductor devices for space applications,
Pages : 1723-1736
Sammy Kayali
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[3] : Reliability considerations of III-nitride microelectronic devices, Pages
1737-1757
Joachim Würfl, Vera Abrosimova, Jochen Hilsenbeck, Erich Nebauer, Walter
Rieger and Günther Tränkle
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[4] : DC and pulsed measurements of on-state breakdown voltage in GaAs MESFETs
and InP-based HEMTs, Pages 1759-1763
Gaudenzio Meneghesso, Giovanni Massari, Dario Buttari, Andrea Bortoletto,
Massimo Maretto and Enrico Zanoni
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[5] : Hot electron degradation effects in 0.14 m AlInAs/GaInAs/InP HEMTs, Pages
1765-1771
M. Nawaz, H. Zirath, E. Choumas, S. H. M. Persson, A. Jasik and W.
Strupinski
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[6] : A model for the channel noise of MESFETs including hot electron effects,
Pages : 1773-1786
L. Forbes, K. T. Yan and S. S. Taylor
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[7] : Threshold voltage shift in 0.1 m self-aligned-gate GaAs MESFETs under bias
stress and related degradation of ultra-high-speed digital ICs, Pages
1787-1792
Yoshino K. Fukai, Kimiyoshi Yamasaki and Kazumi Nishimura
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[8] : Degradation of d.c. parameters in enhancement mode WNx self-aligned gate
GaAs MESFETs under high temperature stress, Pages 1793-1800
Jae Kyoung Mun, Jong Won Lim, Jae Jin Lee and Jeon Wook Yang
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[9] : Reliability characteristics of GaAs and InP-based heterojunction bipolar
transistors, Pages 1801-1808
Dimitris Pavlidis
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[10] : Reliability investigation of InGaP/GaAs HBTs under current and temperature
stress, Pages 1809-1816
A. A. Rezazadeh, S. A. Bashar, H. Sheng, F. A. Amin, A. H. Khalid, M.
Sotoodeh, M. A. Crouch, L. Cattani, F. Fantini and J. J. Liou
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[11] : Effects of InGaP heteropassivation on reliability of GaAs HBTs, Pages
1817-1822
Chung-Kun Song and Pun-Jae Choi
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[12] : On the short and long term degradation of GaInP/GaAs heterojunction
bipolar transistors, Pages 1823-1832
M. Borgarino, R. Plana, S. Delage, F. Fantini and J. Graffeuil
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[13] : InP/GaAs0.51Sb0.49/InP fully self-aligned double heterojunction bipolar
transistors with a C-doped base: a preliminary reliability study, Pages
1833-1838
C. R. Bolognesi, N. Matine, X. G. Xu, G. Soerensen and S. P. Watkins
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[14] : Reliability issues in III¯V compound semiconductor devices: optical
devices and GaAs-based HBTs, Pages 1839-1855
Osamu Ueda
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[15] : Degradation behavior of the active region and passive region in buried
heterostructure (BH) distributed Bragg reflector (DBR) lasers, Pages
1857-1861
H. Mawatari, M. Fukuda and Y. Tohmori
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[16] : Sensitivity of multimode bidirectional optoelectronic modules to
electrostatic discharges, Pages 1863-1871
H. C. Neitzert and A. Piccirillo
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[17] : Review of reliability issues of metal-semiconductor-metal and avalanche
photodiode photonic detectors, Pages 1873-1883
Kevin F. Brennan, Joe HaralsonII , Joseph W. ParksJr and Ali Salem
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[18] : Index, Pages 1899-1902
Journal Format-PDF (66 K)

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