Revue : [REVUE243]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 41, Issue 6, Pages 779-931, June 2001.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 41
Issue : 6
Pages : 779 - 931
Date : June 2001

[1] : In the memory of Yisong Dai, Page 779
Brian K. Jones
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[2] : Characterisation of embedded filters in advanced printed wiring boards,
Pages : 781-788
Stephen O'Reilly, Maeve Duffy, Thomas Ott, Terence O'Donnell, Paul
McCloskey and Cian Ó Mathúna
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[3] : Recombination current measurements in the space charge region of MOS
field-induced pn junctions, Pages 789-795
R. Sorge and B. Heinemann
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (454 K)

[4] : A technique for transparent fault injection and simulation in VHDL, Pages
797-804
Mark Zwolinski
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1111 K)

[5] : Improved understanding of metal ion reservoirs within barrier-metal
systems, Pages 805-814
Michael J. Dion
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (771 K)

[6] : Substrate potential shift due to parasitic minority carrier injection in
smart-power ICs: measurements and full-chip 3D device simulation, Pages
815-822
M. Schenkel, P. Pfäffli, W. Wilkening, D. Aemmer and W. Fichtner
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[7] : Electro-thermal simulation of microsystems with mixed abstraction
modelling, Pages 823-835
Mirko Jakovljevic, Peter A. Fotiu, Zeljko Mrcarica, Vanco Litovski and
Helmut Detter
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[8] : A new finite element approach to stress analysis in microfabrication
technology, Pages 837-845
Slobodan Mijalkovi
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[9] : High injection effects on noise characteristics of Si BJTs and SiGe HBTs,
Pages : 847-854
M. J. Martín-Martínez, S. Pérez, D. Pardo and T. González
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[10] : Improved analysis of low frequency noise in dynamic threshold MOS/SOI
transistors, Pages 855-860
S. Haendler, J. Jomaah, G. Ghibaudo and F. Balestra
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[11] : A simplified yield modeling method for design rule trade-off in
interconnection substrates, Pages 861-869
Michael Scheffler, Didier Cottet and Gerhard Tröster
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[12] : Effects of electron beam generated in vacuum photo-thermal processing on
metal¯silicon contacts, Pages 871-879
G. Golan, A. Axelevitch and E. Rabinovitch
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[13] : Lateral base design rules for optimized low-frequency noise of
differentially grown SiGe heterojunction bipolar transistors, Pages
881-886
Martin Sandén, B. Gunnar Malm, Jan V. Grahn and Mikael Östling
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (560 K)

[14] : Reliability evaluation of a silicon-on-silicon MCM-D package, Pages
887-899
J. Barton, G. McCarthy, R. Doyle, K. Delaney, E. Cabruja, M. Lozano, A.
Collado and J. Santander
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[15] : A new approach to the dynamic thermal modelling of semiconductor packages,
Pages : 901-912
F. N. Masana
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[16] : Study of light-induced annealing effects in a-Si:H thin films, Pages
913-917
W. Y. Ho and C. Surya
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[17] : Generation¯recombination noise in bipolar transistors, Pages 919-925
Yisong Dai
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[18] : The effect of image potential on electron transmission and electric
current in the direct tunneling regime of ultra-thin MOS structures, Pages
927-931
Lingfeng Mao, Changhua Tan and Mingzhen Xu
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