S. AZZOPARDI, J.-M. VINASSA, C. ZARDINI, "Investigations on the Internal Physical Behaviour of 600V Punch-Through IGBT under Latch-up at High Temperature", ESSDERC'97.

S. AZZOPARDI, J.-M. VINASSA, C. ZARDINI, "Investigations on the Internal Physical Behaviour of 600V Punch-Through IGBT under Latch-up at High Temperature", ESSDERC'97. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [PAP478]

Titre : S. AZZOPARDI, J.-M. VINASSA, C. ZARDINI, Investigations on the Internal Physical Behaviour of 600V Punch-Through IGBT under Latch-up at High Temperature, ESSDERC'97.

Cité dans : [CONF028] ESSDERC, European Solid-State Device Research Conference, septembre 2004.
Cité dans : [DIV289]  Recherche sur l'auteur Christian ZARDINI, juillet 2004.

Auteur : S. Azzopardi
Auteur : J.-M. Vinassa
Auteur : C. Zardini

Adresse : Laboratoire IXL - ENSERB - Université Bordeaux I - 351, Cours de la Libération - 33405 Talence Cedex - FRANCE
Source : ESSDERC'97 - 27th European Solid-State Device Research Conference
Date : 1997
Site : http://www.essderc.org/paper-97/
Lien : ESSDERC/1997/default.htm- le 25 février 2001
Lien : private/AZZOPARDI1.pdf - 332 Ko, 4 pages.

Abstract :
Latch-up phenomenon occurring in IGBT structure leads to the
destruction of the device. All physical parameters change with
temperature and as a consequence the operating mode is disturbed.
The immunity to latch-up of the transistor reduces with increasing
temperature. The main reason explaining this behaviour is the rising
minority carrier current density through the device which activates the
parasitic thyristor. This paper proposes a physical analysis of the
latch-up phenomenon which happens in an IGBT structure at high
temperature.

Bibliographie

References : 5
[1] : J. Zeng et al. "Design of IGBTs for latch-up free operation", Solid-State Electronics, vol.37, n°8, pp.1471-1475
[2] : J. Baliga "Power Semiconductor Devices", Wiley, 1995
[3] : F. Calmon et al. "Investigation sur la répartition de l'énergie dissipée dans une structure IGBT en régime statique", EPF, pp 2.1-2.5, 1990
[4] : P. Godignon "Etude, développement et caractérisation de composants de puissance Mos-bipolaires pour les applications de moyennes tensions", thèse INSA Lyon, 93INSAL0068, 1993
[5] : SILVACO INTERNATIONAL "ATLAS : 2D Device simulation framework", Santa Clara, CA, November 1996

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