Article : [PAP336]

Titre : Static electrical behaviour of a monolithic power-logic association

Cité dans : [DIV174]  EPE'2001, European Conference on Power Electronics and Applications, Graz, Autriche, 27-28 août 2001.

Congrés : 9th European Conference on Power Electronics and Applications
Date : du 25 au 29 août 2001
Lien : private/PP00480.pdf - 103 Ko, 7 pages
Adresse : 1
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Adresse : 3
STMicroelectronics, 16, Rue Pierre et Marie Curie, BP 7155, 37071 Tours Cedex 2, FRANCE

Résumé :
This paper deals with the static behaviour of a monolithic power-logic association : a MBS (Mos Bidirectional Switch) and its driver. Two analytical models of perturbations’ generation are briefly described. In the off-state, a capacitive model depicts with good results the perturbations generated by the MBS itself in negative polarization. Then a second modelling is proposed, which can simulate the parasitic gate voltage of the power transistor in the conduction mode. Using these two models, the key parameters of the perturbations’ level are listed. Among them, two are retained in order to discuss about the security area of the monolithic component. In addition, the consumption constraints are added, underlining the compromise that must be solved.

Keywords : Device Modelling, Monolithic Power Integration, MOS Device, Power Semiconductor Devices, Smart Power.

References : 5
[1] : D. Chauvet, F. Calmon, C.Gontrand, "Power integration : the origin of the parasitic effects induced by an insulated gate bipolar transistor on its control and protection logic", Semicond. Sci. Technoi. 13 (1998) 1193-1204.
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[4] : J. Huselstein, C. Glaize, " IGBT à tenue en tension symétrique. Caractérisation statique et dynamique en fonctionnement transistor, diode et interrupteur bidirectionnel et bicommandable", EPF98.
[5] : A. Dartigues, B. Giffard, R. Perret, C. Schaeffer, M. Roy, C. Anceau, "Driver integration in a a monolithic MBS (Mos Bidirectionnal Switch) : study of the perturbation in the off-state", IAS2000.

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