J.H. STATHIS, A. VAYSHENKER, P.R. VAREKAMP, E.Y. WU, C. MONTROSE, J. McKENNA, D.J. DiMARIA, L.-K. HAN, E. CARTIER, R.A. WACHNIK, B.P. LINDER, "Breakdown measurements of ultra-thin SiO/sub 2/ at low voltage", VLSI Technology, 2000, pp. 94-95.

J.H. STATHIS, A. VAYSHENKER, P.R. VAREKAMP, E.Y. WU, C. MONTROSE, J. McKENNA, D.J. DiMARIA, L.-K. HAN, E. CARTIER, R.A. WACHNIK, B.P. LINDER, "Breakdown measurements of ultra-thin SiO/sub 2/ at low voltage", VLSI Technology, 2000, pp. 94-95. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [PAP289]

Titre : J.H. STATHIS, A. VAYSHENKER, P.R. VAREKAMP, E.Y. WU, C. MONTROSE, J. McKENNA, D.J. DiMARIA, L.-K. HAN, E. CARTIER, R.A. WACHNIK, B.P. LINDER, Breakdown measurements of ultra-thin SiO/sub 2/ at low voltage, VLSI Technology, 2000, pp. 94-95.

Cité dans :[PAP285]

Auteur : Stathis, J.H.
Auteur : Vayshenker, A.
Auteur : Varekamp, P.R.
Auteur : Wu, E.Y.
Auteur : Montrose, C.
Auteur : McKenna, J.
Auteur : DiMaria, D.J.
Auteur : Han, L.-K.
Auteur : Cartier, E.
Auteur : Wachnik, R.A.
Auteur : Linder, B.P. - IBM Thomas J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, NY, USA

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/STATHIS2.pdf - 2 pages, 179 Ko.
Lien : PAP285.HTM#Bibliographie - référence [11].
Source : VLSI Technology, 2000. Digest of Technical Papers. 2000 Symposium on
Pages : 94 - 95
Date : 13-15 June 2000
ISBN : 0-7803-6305-1
Info : IEEE Catalog Number: 00CH37104 - Total Pages : xv+226
References : 10
Accession_Number : 6671151

Abstract :
MOSFETs with oxide thickness from t/sub ox/=1.4 to 2.2nm have
been stressed for times exceeding one year, at voltages in the
range V/sub g/=1.9-4V. The data are compared with previous model
calculations. The voltage acceleration of the charge-to-breakdown
(Q/sub BD/) is explained in terms of a weak yet statistically
significant voltage dependence of the critical defect density at
breakdown (N/sup BD/), and a stronger than expected voltage
dependence of the defect generation probability (P/sub g/) for
the thinnest oxides studied.

Subject_terms :
silicon compounds; SiO/sub 2/ ultrathin gate oxide; low voltage
breakdown; MOSFET; charge-to-breakdown; critical defect density;
voltage dependence; defect generation probability; 1.4 to 2.2 nm;
1.9 to 4 V; SiO/sub 2/

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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