Article : [PAP248]

Titre : Observation of single interface traps in submicron MOSFET's by charge pumping, 1996.

Auteur : Groeseneken, G.V.
Auteur : De Wolf, I.
Auteur : Bellens, R.
Auteur : Maes, H.E - IMEC, Leuven, Belgium

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/GROESENEKEN.pdf - 6 pages, ko.
Source : Electron Devices, IEEE Transactions on
Pages : 940 - 945
Date : June 1996
Volume : 43
Issue : 6
ISSN : 0018-9383
References : 15
CODEN : IETDAI
Accession_Number : 5293978

Abstract :
The observation of single interface traps in small area MOSFET's
by charge pumping is demonstrated for the first time, The
dependence of the single trap charge pumping current on the base
level voltage is described, Also the creation of one single
interface trap under influence of low level hot carrier injection
is demonstrated. A prediction of the charge pumping current
behavior as a function of rise and fall time and temperature for
the case of individual traps is made. The correlation with
RTS-noise experiments is discussed.

Subject_terms :
MOSFET; interface states; hot carriers; electron density;
semiconductor device noise; single interface traps; submicron
MOSFET; charge pumping; base level voltage; low level hot carrier
injection; fall time; rise time; temperature dependence;
RTS-noise experiments; CMOS technology; electron concentration;
drain current noise; 0.5 mum

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