Article : [ART576]
Info : REPONSE 22, le 13/07/2004.
Titre : On-resistance, thermal resistance and reverse recovery time of power MOSFETs at 77 K, 1989.
Cité dans : [DIV442] Recherche sur les mots clés THERMAL RESISTANCE, juillet 2004.Auteur : Mueller, O. (GE Corp Research and Development, Schenectady, NY, USA)
Source : Cryogenics v 29 n 10 Oct 1989 p 1006-1014
CODEN : CRYOAX
ISSN : 0011-2275
Année : 1989
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Experimental
Language : English
Stockage :
Switches :
Power :
Software :
Abstract :
Measurements of the on-resistance, the approximate thermal resistance and the drain-source diode reverse recovery time of new commercially available power MOS field-effect transistors at room and at liquid nitrogen temperature (77 K), are presented and compared.It is demonstrated that all three parameters drastically improved in cooled devices, especially in those with high breakdown voltage.(Author abstract)
Références : 13 Refs.
Accession_Number : 1989(12):126882 COMPENDEX
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