Article : [ART516]

Info : REPONSE 67, le 31/03/2004.

Titre : Power loss analysis of power semiconductor devices and power converters.

Cité dans : [DATA035] Recherche sur les mots clés thermal + fatigue + semiconductor et reliability + thermal + cycle, mars 2004.
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.

Source : Qinghua Daxue Xuebao/Journal of Tsinghua University v 40 n 3 Mar 2000.p 5-8
CODEN : QDXKE8
ISSN : 1000-0054
Année : 2000
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Application; Theoretical
Language : Chinese
Stockage :
Switches :
Power :
Software :

Abstract :
New electro-thermal calculational method was developed to estimate the power loss and working temperature of power semiconductor devices to improve the reliability of power converters and devices. Measurements of the temperatures during switching were used to develop an exact model of the power losses.The losses in a power converter were analyzed with the model.A thermal network was then developed for the devices and heat sinks.The calculated power loss for two typical applications agreed well with the measured power losses showing that the method can be used in design of thermal systems and for improving the efficiency of power conversion systems.(Author abstract) 5 Refs.

Accession_Number : 2000(45):7176 COMPENDEX

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