Article : [ART173]
Titre : S. FORSTER, S. MOREAU, T. LEQUEU, Mécanismes de dégradation des TRIACs dans Q3 par di/dt à la fermeture, EPF'2002, Montpellier, France.
Cité dans : [DIV307] EPF'2002, 9ième colloque Electronique de Puissance du Futur, Montpellier, 13-14-15 Novembre 2002. Cité dans : [DATA033] Liste des publications de Thierry LEQUEU et activités de recherche, octobre 2022.Auteur : Stéphane FORSTER
Adresse : LMP-STMicroelectronics, 16 rue Pierre et Marie Curie, BP 7155, 37071 Tours Cedex 2, France
Lien : maito:stephane.forster@st.com
Source : EPF'2002, Montpellier
Date : 13-14-15 Novembre 2002.
Pages : 1 - 5
Lien : private/FORSTER5.pdf - 939 Ko, 6 pages.
Vers : Bibliographie
Résumé :
Les auteurs expliquent les mécanismes de dégradations d'un TRIAC soumis à l'application d'un fort di/dt. Le di/dt est provoqué par décharge du condensateur d'un CALC couramment employé dans les gradateurs afin de protéger les TRIACs contre les forts dV/dt. Dans cet article, le cas particulier de la fermeture du TRIAC dans le quadrant Q3 est étudié.
Bibliographie |
[1] : [SHEET459] S. FORSTER, T. LEQUEU, R. JERISIAN, A. HOFFMANN, 3-D analysis of the breakdown localized defects of ACSTM through a triac study, Microelectronics Reliability, October 2000, Vol. 40, pp. 1695-1700. [2] : [SHEET204] I.L. SOMOS, L.O. ERIKSSON, W.H. TOBIN, Understanding di/dt ratings and life expectancy for thyristors, Power Conversion And Intelligent Motion, pp. 56-59, February 1986. [3] : [ART163] S. FORSTER, T. LEQUEU, R. JERISIAN, Operation of power semiconductors under transient thermal conditions: thermal fatigue reliability and mechanical aspects, Microelectronics Reliability, Volume 41, Issues 9-10, September - October 2001, pp. 1677-1682. [4] : [LIVRE232] W. NELSON, Accelerated Testing: Statistical Models, Test Plans, and Data Analyses, Wiley-Interscience, 1990, 616 pages. [5] : [ART227] M. CIAPPA, Selected failure mechanisms of modern power modules, Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 4-5, April-May 2002, pp. 653-667. [6] : [SHEET168] P. ALOISI, Failure diagnosis in medium power semiconductor, EPE'91, Firenze, vol. 3, pp. 117-119. [7] : [PAP310] R. BLISH, N. DURRANT, Semiconductor Device Reliability Failure Models, International SEMATECH, Technology Transfer # 00053955A-XFR, May 31, 2000, 34 pages. [8] : [LIVRE200] D. BROEK, Elementary Engineering Fracture Mechanics, June 1982, Martinus Nijhoff Publishers, 524 pages.
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