Article : [SHEET450]
Titre : P.E. NICOLLIAN, M. RODDER, D.T. GRIDER, P. CHEN, R.M. WALLACE, S.V. HATTANGADY, Low voltage stress-induced-leakage-current in ultrathin gate oxides, IRPS'1999.
Cité dans : [DATA184] IRPS'1999, 1999 IEEE International Reliability Physics Symposium, San Diego. Cité dans :[SHEET449]Auteur : Paul E. Nicollian
Stockage :
Lien : DATA184.HTM
NICOLLIAN, P.E.; RODDER, M.; GRIDER, D.T.; CHEN, P.; WALLACE, R.M.; HATTANGADY, S.V.
LOW VOLTAGE STRESS-INDUCED-LEAKAGE-CURRENT IN ULTRATHIN GATE OXIDES
RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 1999. 37TH ANNUAL. 1999 IEEE INTERNATIONAL ( 1999 )
Lien : IRPS/IRPS1999/ap1999.pdf - 1999 IRPS Advance Program - page 31, §6.4
6.4 LOW VOLTAGE STRESS-INDUCED-LEAKAGE-CURRENT IN ULTRATHIN GATE OXIDES
P. Nicollian, M. Rodder, D.T. Grider, P. Chen, R.M. Wallace, and S.V. Hattengady, Texas Instruments, Inc.
Abstract :
It is shown that for oxides less than 3.5nm thick, interfacial traps
generated during direct tunneling stress result in a measured voltage
dependent SILC phenomenon that can dominate the gate leakage
current under low voltage operating conditions. Thin mechanism is an
important consideration in sub-1.2 V technologies.
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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