J.M. Bosc, I. Garcon, E. Huynh, P. Lance, I. Pages, J.M. Dorkel, G. Sarrabayrouse, "Reliability characterization of LDMOS transistors submitted to multiple energy discharges", ISPSD'2000.
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Titre : J.M. Bosc, I. Garcon, E. Huynh, P. Lance, I. Pages, J.M. Dorkel, G. Sarrabayrouse, Reliability characterization of LDMOS transistors submitted to multiple energy discharges, ISPSD'2000.
Cité dans : [DATA125] ISPSD'2000, 12th Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits, May 22-25 2000, Toulouse, France.
Auteur : J.M. Bosc
Auteur : I. Garcon
Auteur : E. Huynh
Auteur : P. Lance
Auteur : I. Pages
Auteur : J.M. Dorkel
Auteur : G. Sarrabayrouse
Adresse : Motorola - Le Mirail - BP 1029 - 31023 Toulouse Cedex - France
Lien : private/BOSC.pdf - 242 Ko, 4 pages.
Info : fiabilité, reliability, LAAS/Motorola SPS, soutient sa thèse en juillet 2000, des simulations et une loi d'accélérationn, utilisation de la diode BODY pour mesurer la température.
Références : 7
[1] : D.L. Blackburn, " Power Mosfet Failure Revisited", Proceeding PESC'88 , PP. 681-688 (1988).
[2] : D. Farenc, G. Charitat, P. Dupuy, T. Sicard, I. Pages, P. Rossel, "Clamped inductive switching of LDMOST for smart power IC's", lOth International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD'98), Kyoto (Japon), pp.359-362 (1998).
[3] : P. Dupuy, "Modeles Thermiques et Methodologie d'Analyse Thermique pour Circuits Integrés de Puissance de Type Smartpower", PhD Thesis, Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse, France (1998).
[4] : P. Dupuy, J.M. Dorkel, P. Tounsi, L. Borucki, "Rapid Thermal Modelling for Smart Power and Multichip Power Circuit Design", ISPSD'96 Proceedings (1996). Maui, Hawaii USA, May 20-23, 1996, pp. 173-176.
[5] : J.M. Bosc, P. Dupuy, J. Gil, J.M. Dorkel, G. Sarrabayrouse, "Thermal Characterization: A Ke Element for Accelerating Stress Testing", Therminic'99, Proceedings Rome, Italy, (1999).
[6] : K. Hinode, I. Asano, Y. Homma "Void formation mechanism in VLSI Aluminium metallization" ,IEEE Transaction on Electronic Devices, vol 36, n°3, pp. 1050-1055 (1989).
[7] : K. Tokunaga, K. Sugawara, "The influence of plasma silicon nitride passivation film quality on Aluminium void formation", J. Electrochem. Sec., vol 138, n°l, pp.176-180 (1991).
[1] : [PAP158] -------
[2] : [PAP158] -------
[3] : [PAP158] -------
[4] : [PAP178] P. Dupuy, J.M. Dorkel, P. Tounsi, L. Borucki, Rapid Thermal Modelling for Smart Power and Multichip Power Circuit Design, ISPSD'96 Proceedings (1996). Maui, Hawaii USA, May 20-23, 1996, pp. 173-176.
[5] : [PAP158] -------
[6] : [PAP158] -------
[7] : [PAP158] -------
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