Article : [SHEET234]
Info : INSPEC Answer Number 25, le 16/03/2000.
Titre : The influence of the gate polarisation on the circuit commutated recovery time and critical rate of rise of off-state voltage of thyristors, 1972.
Cité dans : [DATA050] Recherche sur l'auteur S. JANUSZEWSKIAuteur : Januszewski, S
Source : Prace Instytutu Elektrotechniki (1972) vol.20, no.73, p.27-38
CODEN : PIELA4
ISSN : 0032-6216
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Practical; Experimental
Info : Country of Publication : Poland
Language : Polish
Stockage :
Abstract :
Measuring methods and test results of the influence of negative and
positive (lower than gate trigger voltages) gate circuit voltages on the
turn-off time and critical rate of rise of off-state voltage of power
thyristors are discussed. The influence of temperature of p-n-p-n
structure on tested characteristics are given.
Accession_Number : 1973:464482
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