Article : [SHEET184]

Titre : Use of the three-dimensional TLM mehtod in the thermal simulation and design of semiconductor devices, 1992.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.

Adresse : Univ. Illinois at Urbana-Champaign, coordinated sci. lab., Urbana IL 61801, USA
Nature : Périodique
Source : IEEE transactions on electron devices
ISSN : 0018-9383
CODEN : IETDAI
Pays : USA
Date : 1992
Volume : 39
Numéro : 6
Pages : 1295 - 1302
Références : 21 ref.
Langue : Anglais
Info : "SIMULATION" ET "SEMICONDUCTOR DEVICE" - 15/20 réponses.

Résumé :
The thermal behavior of semiconductor devices fabricated with a variety of different materials has been analyzed using the three-dimensional transmission-line matrix (TLM) method. This method can easily incorporate the temperature dependence of thermal parameters, is numerically stable, and compares favorably with other numerical techniques in computational expenditure and convenience in modeling complex geometries. As an example, a three-dimensional thermal analysis of a typical microwave power device structure is presented. The model demonstrates the effects of overlay metal and conductivity of the substrate material in limiting the temperature rise

Code : 001D03F19
Mots_clés : Simulation ; Conception ; Comportement thermique ; Dispositif semiconducteur ; Ligne transmission ; Méthode matricielle ; Modélisation ; Paramètre thermique ; Champ température ; Analyse thermique ; Dispositif hyperfréquence ; Dispositif puissance ; Dissipation énergie
Mots_clés : Simulation ; Design ; Thermal behavior ; Semiconductor device ; Transmission line ; Matrix method ; Modeling ; Thermal parameter ; Temperature distribution ; Thermal analysis ; Microwave device ; Power device ; Energy dissipation
Mots_clés : Simulación ; Diseño ; Comportamiento térmico ; Dispositivo semiconductor ; Línea transmisión ; Método matriz ; Modelización ; Parámetro térmico ; Campo temperatura ; Análisis térmico ; Dispositivo hiperfrecuencia ; Dispositivo potencia ; Disipación energía
Localisation : INIST - 222 F3 - 354000028031700040
Numéro : 92-0372155; INIST

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