J.-M. PETER, "The range end. The power semiconductors of the nineties", Elektronik Praxis, September 1988) vol.23, no.9, p.34, 42-3.

J.-M. PETER, "The range end. The power semiconductors of the nineties", Elektronik Praxis, September 1988) vol.23, no.9, p.34, 42-3. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [SHEET021]

Info : INSPEC Answer Number 16 - 13/01/2000

Titre : J.-M. PETER, The range end. The power semiconductors of the nineties, Elektronik Praxis, September 1988) vol.23, no.9, p.34, 42-3.

Cité dans : [DATA004] Recherche sur l'auteur Jean Marie PETER, janvier 2000.

Auteur : Peter, J.-M.

Source : Elektronik Praxis (Sept. 1988) vol.23, no.9, p.34, 42-3. 0 refs.
CODEN : EKPXAM ISSN: 0341-5783
Info : Country of Publication : Germany, Federal Republic of
Language : German

Abstract :
Developments in power semiconductors in the LV range of two current
amplitude limits and in the HV range are discussed with reference to
the incorporation in a chip. Power MOS transistors and special
designs for high-voltage operation, and units with modified
structure of cells and the application of planar passivation are
presented. Darlingtons and their combination are followed by the
description of new thyristors for force-commutated inverter. The
list also includes GTO and ZTO (zero-turn-off) units for optimising
the economics of different circuits. The problems handled in the
paper include the costs of including snubber circuits.

Accession_Number : 1989:3270038

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