Revue : [REVUE337]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 37, Issue 7, Pages 983-1150 (July 1997.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 37, Issue 7,
Pages : 983-1150 (July 1997)

[1] : Editorial, Pages 983-984
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[2] : Challenges for giga-scale integration, Pages 985-1001
Eiji Takeda
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[3] : Hot-carrier degradation mechanisms in silicon-on-insulator MOSFETs, Pages
1003-1013
Sorin Cristoloveanu
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (809 K)

[4] : Hot-carrier stress effects on the amplitude of random telegraph signals in
small area Si P-MOSFETs, Pages 1015-1019
E. Simoen and C. Claeys
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[5] : Small-signal gate-to-drain capacitance of MOSFET as a diagnostic tool for
hot-carrier induced degradation, Pages 1021-1028
R. Ghodsi and Y. T. Yeow
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[6] : Characterizing wearout, breakdown and trap generation in thin silicon
oxide, Pages 1029-1038
David J. Dumin
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (713 K)

[7] : Thin oxide MOS damage generated after treatment in a MERIE reactor, Pages
1039-1043
E. Atanassova
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (341 K)

[8] : Study of unipolar pulsed ramp and combined ramped/constant voltage stress
on MOS gate oxides, Pages 1045-1051
A. Martin, P. O'Sullivan and A. Mathewson
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (493 K)

[9] : Electromigration: a review, Pages 1053-1072
D. G. Pierce and P. G. Brusius
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (1623 K)

[10] : Shape effect on electromigration in VLSI interconnects, Pages 1073-1078
J. L. Gonzalez and A. Rubio
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (384 K)

[11] : Characterization of Al-Si-Cu metal lines by means of TEM analysis and the
SARF technique, Pages 1079-1085
C. Ciofi, M. Franzese and B. Neri
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[12] : Circuit and process design considerations for ESD protection in advanced
CMOS processes, Pages 1087-1103
Warren R. Anderson
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (1054 K)

[13] : ESD tester parasitics and stress conditions and their impact on device
failure levels and failure mechanisms, Pages 1105-1110
S. Daniel, J. -W. Kim, K. -D. Hong and C. -K. Yoon
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[14] : Structures for ESD protection in CMOS processes, Pages 1111-1120
Rafael Fried, Yaron Blecher and Shimon Friedman
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (688 K)

[15] : Failure mechanisms of AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT's: effects due to
hot electrons and modulation of trapped charge, Pages 1121-1129
Gaudenzio Meneghesso, Eros de Bortoli, Danila Sala and Enrico Zanoni
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[16] : A study of hot-electron degradation effects in pseudomorphic HEMTS, Pages
1131-1135
Paolo Cova, Roberto Menozzi, Fausto Fantini, Maura Pavesi and Gaudenzio
Meneghesso
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[17] : Physical limitation on drain voltage of power PM HEMT, Pages 1137-1141
V. A. Vashchenko, V. F. Sinkevitch and Y. B. Martynov
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (309 K)

[18] : Slow state characterization by measurements of current-voltage
characteristics of MOS capacitors, Pages 1143-1146
Sima Dimitrijev, Philip Tanner, Z. -Qiang Yao and H. Barry Harrison
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[19] : A method for separating the effects of interface from border and oxide
trapped charge densities in MOS transistors, Pages 1147-1150
Zoran Savi and Branislav Radjenovi
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