Revue : [REVUE111]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Journal, Volume 29, Issue 3, Pages 67-158, March 1998.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Cité dans : [DIV102]  Recherche TCAD CITATIONS, août 1998
Cité dans : [DIV112]  Liste des revues de la base de données PASCAL - (from INIST 1998).

Volume : 29
Issue : 3
Pages : 67 - 158
Date : March 1998
Editor : M. HENINI
Stockage : bibliothèque LMP
ISSN : 0026-2692
Voir_aussi :
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[1] : On the output impedance of a BJT Wilson current source, Pages 67-70
Aloke K. Dutta
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[2] : Accurate two-dimensional modelling of the titanium silicide process with an application to a thin base n-p-n bipolar transistor, Pages 71-81
P. Fornara, S. Denorme, E. de Berranger, D. Mathiot, M. Mouis and A. Poncet
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[3] : New single-element-controlled sinusoidal oscillators employing CCII+, Pages 83-86
Muhammad Taher Abuelma'atti and Hassan Al-Daghrier
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (177 K)

[4] : Efficient implementation of finite difference schemes for semiconductor device simulations, Pages 87-95
Zhi-meng Teng, Fu-yan Zhang and Jiang Zheng
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (359 K)

[5] : High performance AlGaAs-based laser diodes: fabrication, characterization and applications, Pages 97-104
V. lakovlev, A. Sarbu, A. Mereutza, G. Suruceanu, A. Caliman, O. Catughin, A. Lupu and S. Vieru
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[6] : Multiphase synchronous circuits for low power performance, Pages 105-111
R. Andrew and K. Venos
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (349 K)

[7] : Effective graph generation from VHDL descriptions, Pages 113-121
P. Arató and T. Visegrády
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (415 K)

[8] : Novel grounded-capacitor active biquads using FiTFNs, Pages 123-132
Muhammad Taher Abuelma'atti, Husain Abdullah Al-Zaher and Muhammad Abdullah Al-Qahtani
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (414 K)

[9] : Current conveyor filters: classification and review, Pages 133-149
Ahmed M. Soliman
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[10] : Optimization of SPICE system LEVEL3 MOSFET transistor models based on dc measurements, Pages 151-156
V. Melikian, V. Mnatsakanian and N. Uzunoglou
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[11] : Book Review, Pages 157-158
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