Article : [PAP325]

Titre : B. GIFFARD, B. CHARLET, L. CLAVELIER, C. BUJ-DUFOURNET, S. GIMONET, C. ANCEAU, F. DUCLOS, R. PEZZANI, J.-B. QUOIRIN, +/-600V +/-2A TRIAC in SOI substrates for domestic applications, EPE'2001.

Cité dans : [DIV174]  EPE'2001, European Conference on Power Electronics and Applications, Graz, Autriche, 27-28 août 2001.

Congrés : 9th European Conference on Power Electronics and Applications
Date : du 25 au 29 août 2001
Lien : private/PP00331.pdf - xxx Ko, 12 pages
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Abstract :
Symmetric Thyristors (or TRIAC) are largely used in the mains AC voltage range. In this paper, this device is presented in a completely isolated structure on SOI (Silicon on Insulator) substrate. This approach opens the way to chips providing multiple AC switches for domestic applications.

Keywords : Monolithic power integration, Power semiconductor devices, Smart Power, Silicon, Bipolar device

References : 7
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[6] : C.S. Cowen et al. "Deep trench isolation in bonded wafer SOI Ics using high density ICP etcher", El. Chem. Soc. Proc. vol 96-3, p. 364.
[7] : B. Giffard et al. "Réalisation de Thyristors intégrés 600V bidirectionnels en tension et en courant en technologie SOI", EPF2000, Lille.

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