Article : [PAP308]
Titre : J.S.T. HUANG, The bilateral emitter switched thyristor (BEST), Electron Devices Meeting, 1992, pp. 249-252.
Cité dans : [PAP158] -------Auteur : Huang, J.S.T - Solid State Electron. Center, Honeywell Inc., Plymouth, MN, USA
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/HUANG.htm - 6 Ko, le 15 juin 2001.
Lien : private/HUANG1.pdf - 309 Ko, 4 pages.
Source : Electron Devices Meeting, 1992. Technical Digest., International
Pages : 249 - 252
Date : 13-16 Dec. 1992
ISBN : 0-7803-0817-4
Info : Total Pages : 1022
References : 4
Accession_Number : 4730565
Abstract :
A new AC symmetric power device structure, called the bilateral
emitter switched thyristor (BEST) is described. The use of
concentric geometries for unit cells results in a compact and
area efficient design. The symmetry of the device provides an
additional MOS gate to facilitate turn-offs and to extend the
controllable current range. The measured turn-off time is less
than one microsecond.
Subject_terms :
bilateral emitter switched thyristor; AC symmetric power device
structure; BEST; concentric geometries; area efficient design;
MOS gate; controllable current range; turn-off time; insulated
gate field effect transistors; power electronics; thyristors
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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