B. E. WEIR, M. A. ALAM, J.D. BUDE, P.J. SILVERMAN, A. GHETTI, F. BAUMANN, P. DIODATO, D. MONROE, T. SORSCH, G.L. TIMP, Y. MA, M.M. BROWN, A. HAMAD, D. HWANG, P. MASSON, "Gate oxide reliability projection to the sub-2 nm regime", Semicond. Sci. Technol, 15
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Article : [PAP298]

Titre : B. E. WEIR, M. A. ALAM, J.D. BUDE, P.J. SILVERMAN, A. GHETTI, F. BAUMANN, P. DIODATO, D. MONROE, T. SORSCH, G.L. TIMP, Y. MA, M.M. BROWN, A. HAMAD, D. HWANG, P. MASSON, Gate oxide reliability projection to the sub-2 nm regime, Semicond. Sci. Technol, 15, May 2000. pp. 455-461.

Cité dans :[PAP285]
Auteur : B. E. WEIR
Auteur : M. A. ALAM
Auteur : J.D. BUDE
Auteur : P.J. SILVERMAN
Auteur : A. GHETTI
Auteur : F. BAUMANN
Auteur : P. DIODATO
Auteur : D. MONROE
Auteur : T. SORSCH
Auteur : G.L. TIMP
Auteur : Y. MA
Auteur : M.M. BROWN
Auteur : A. HAMAD
Auteur : D. HWANG
Auteur : P. MASSON

Stockage : Thierry LEQUEU, le 6 juin 2001.
Lien : PAP285.HTM#Bibliographie - référence [9].
Source : Semicond. Sci. Technol, May, 2000. pp. 455-461.

Références : 24

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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